ROHM电机驱动芯片的控制趋势
罗姆半导体(上海)有限公司设计中心表示，除了要求安全、高效、控制性能好之外，数字化、集成化也成为了电机控制技术发展的必然趋势。控制系统数字化则包含了硬件与软件两方面，硬件即高速、高集成度、低成本的专用芯片。软件则体现在电机控制方面，电机控制算法未来的发展方向将着重在高性能的转矩转速控制与和在线辨识上。
集成化是指电机的集成和电力电子器件的集成，它包括电机与电机驱动的集成和开关器件、电路、控制、传感器、电源等的集成。集成方案比传统分立器件方案更有助于降低总体物料单(BOM)成本、减少方案占位面积，并使系统方案更轻、更高能效及更可靠。
不同应用对电机控制器的要求有很大的区别。目前市场上的控制器/驱动器解决方案各有千秋，包括了针对特定简单应用的标准控制器/驱动器以及采用外部缓冲栅极驱动器和功率级的MCU、DSP和FPGA。
对于小型的电机以及对控制精度、反应速度要求不高的应用，专用芯片具有低成本、低功耗、控制简单、易上手等优势。
对要求苛刻的应用，适合使用DSP、MCU和FPGA，可以增加其他系统管理功能，例如监测电机参数和状态，以及与主机系统的通信等。但是，DSP、MCU和FPGA需要外部栅级驱动器和功率器件，且需要编程控制，在安全、效率方面需要斟酌。
在权衡了电机的效率和生产的成本基础上选择出来的方案，才是最适合的。
ROHM电机控制方案
ROHM在电机驱动控制芯片方面，具有其独特的优势，无论是直流有刷、步进驱动、直流无刷，镜头驱动、IPM还是需要有I2C、SPI控制接口，特别是在直流无刷方面，从单相到三相，从低压1.8V到高压310V，从单霍尔到无霍尔，你都可以找到合适的驱动方案。而且从选型、设计、开发、测试一直到量产，我们都能为你提供全方位的技术支持，甚至可以根据客户需求进行芯片定制服务。
随着变频器的变频控制已越来越多地被使用到家电的空调、洗衣机、电冰箱等诸多白家电的应用，ROHM的控制方案从最初的BD620X系列，工艺改善进化到BD6201X+BM6202/3(耐压600V，1.5A/2.5A的IPM)，发展到高度集成化的BM620X系列(集成了驱动和IPM)、BM622X系列等。同时随着工业4.0、无人机、智能机器人、汽车电子等市场的兴起，ROHM也推出了相应的控制芯片，比如车载级别的隔离Gate Driver，具有可编程SPI接口的直流有刷电机驱动控制芯片，快速反应的三相有位置/无位置专用控制方案等。在电机控制领域，ROHM一直在与时俱进，开拓创新。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
