USB Type-C加USBPD将成为主流之选？
电子设备的种类越来越丰富，我们的背包里也塞满了各种各样的适配器，有手机、平板电脑、照相机还有笔记本电脑等等，几乎每种设备都需要自己专属的适配器。受制于不同设备供电的电压和功率不同，一直以来，这样的情况没有任何改善。
如何减少适配器的数量，从而给我们的生活带来便利，进而进一步减少工业废弃物呢？因为几乎所有电子产品都有USB端口，是不是可以通过USB实现充电端口的统一呢？
USB Type-C的出现很好地契合了这一需求。它可以给平板电脑、智能手机等设备通过小型接口进行高速传输。但与此同时，通过更大的功率进行快速充电的需求也 非常迫切。众所周知，USB标准协会自上世纪九十年代开始，不断改进USB接口规范。但即便如此，目前的USB充电最高仍只能提供7.5W的电力。
在这样的背景之下，全新的USB Power Delivery（USBPD）应运而生。该标准可以通过高达100W的电力传输量，让各种装置都能通过一条USB线缆满足供电需求，可给笔记本电脑等以往无法通过USB供电进行驱动的设备供电，可实现移动设备的快速充电。
采用USBPD具体能带来哪些好处？在所连接的两个设备间进行USBPD专用通信，在供受电协议后，确定相互最佳的供受电电压和电流。之后，USBPD所需 的通信就在新增设的专用线CC线上进行，因此，可与以往的USB数据通信独立工作。举例来说，在传统的使用情境中，主机作为供电者，可以给连接的笔记本电 脑供电；而笔记本电脑这时只是受电者。而在USBPD的协议之下，笔记本电脑可以既是受电者，也是供电者。这样双向的灵活性，也使得USBPD成为各家厂 商众所期待的新技术应用。
ROHM半导体（上海）有限公司设计中心经理陈行乐告诉记者，业界对于同时支持USB Type-C和USB PD两种标准的需求十分强烈，它们可以实现高速传输并提升充电效率。但是，要通过USB端口实现统一的供受电接口，首先要解决哪些问题呢？
陈行乐表示，不同电子设备的功率需求不同，如果能有一个智能的适配器，可以自动识别电子产品的类型，从而动态调节功率为设备充电，就可以大大减少所需适配器的类型。USBPD已经将供电能力提升到了100W，现在还需要一个控制IC来自动识别供电的电压、电流的规格。
顺应这一需求，ROHM推出了“BM92TxxMWV系列”USBPD控制器IC，它支持最新的USB Type-C标准Rev1.1和USBPD标准Rev2.0。在以往仅可支持7.5W以内供电的USB Type-C设备间，可实现高达100W（20V/5A）的供受电。即使是笔记本电脑和TV等需要较大功率的设备，也可通过USB端口供电来驱动。同时， 在智能手机和平板电脑等USB端子的传统用途中，还可实现比以往高约4倍以上的快速充电。
另外，它还支持可通过USB通信信号线传输视频信号的Alternate-Mode控制，且无需视频专用端口，因此可在供电的同时传输视频信号等，非常有助于构筑更加便利的环境。
陈行乐强调，BM92TxxMWV系列产品实现了很高的集成度，这是这款新产品的最大特点，也是其他厂商目前很难实现的。由于采用了ROHM先进的 0.13μm BiCDMOS微细工艺、高耐压工艺和电路技术优势，因此实现了产品的小型化与功能优化，可减少供受电控制用的附带电源和FET等零部件。与一般系统相 比，可减少包括外置电源IC在内的零部件数量达20个以上。
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MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
