业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS

分享到:

<概要>

全球知名半导体制造商ROHM的高速trr※1型600V 超级结MOSFET PrestoMOS※产品群又新增"R60xxMNx系列",非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET,以业界最小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。

1

此次开发的"R60xxMNx系列"通过优化ROHM独有的芯片结构,在保持PrestoMOS"高速trr性能"特征的基础上,还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此,在变频空调等电机驱动的应用中,轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比,降低约56%,节能效果非常明显。

不仅如此,"R60xxMNx系列"利用ROHM多年积累的模拟技术优势,还实现了超强的短路耐受能力,减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险,有助于提高应用的可靠性。

本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产,前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韩国)。

今后,ROHM将继续开发凝聚了ROHM模拟设计技术优势的高性能、高可靠性产品,不断为社会的进一步节能贡献力量。

<背景>

近年来,节能化趋势日益加速,随着日本节能法的修订,家电产品倾向于采用更接近实际使用情况的能效标识APF(Annual Performance Factor)※4,不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能,要求负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。据称,在全球的电力需求中,近50%被用于驱动电机,随着空调在新兴国家的普及,全球的电力局势逐年严峻。在这种背景下,ROHM开发出PrestoMOS,非常适用于要求低功耗化的空调等白色家电和工业设备等的电机驱动,可大大降低应用正常运转时的功耗,满足了社会的节能需求。

23

<特点>

1. 业界最快的trr性能、低Ron、低Qg,有助于应用节能

一般MOSFET具有高速开关和低电流范围的传导损耗低的优点,设备正常运转时可有效降低功耗。"R60xxMNx系列"利用ROHM独有的Lifetime控制技术,不仅保持了业界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于变频电路的节能。

4

2. 超强短路耐受能力,确保可靠性

通常,一旦发生短路,即具有电路误动作、流过超出设计值的大电流、引起异常发热、甚至元件受损的可能性。一直以来,因性能与短路之间的制约关系,确保超强的短路耐受能力是非常困难的,而"R60xxMNx系列"利用ROHM的模拟技术优势,对热失控的成因---寄生双极晶体管成功地进行了优化,可确保电机驱动所必须的短路耐受能力,有助于提高应用的可靠性。

5

3. 自导通损耗微小

自导通是指MOSFET在关断状态下,高边主开关一旦导通,则低边MOSFET的漏极-源极间电压急剧增加,电压被栅极感应,栅极电压上升,MOSFET误动作。该现象使MOSFET内部产生自身功率损耗。而"R60xxMNx系列"通过优化寄生电容,可将该损耗控制在非常微小的最低范围内。

<应用>

空调、冰箱、工业设备(充电站等)

6

继续阅读
锂电池内阻揭秘:技术原理深度解析

锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素,通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻,并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。

IGBT米勒效应:成因与影响缓解策略探讨

IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用,影响器件性能。为降低米勒效应,可选择合适晶体管和阈值设置,优化电路布局,采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响,需在设计和分析中充分考虑。

锂电池隔膜击穿:原因与影响因素全解析

锂电池隔膜击穿电压是电池安全性的关键指标,涉及隔膜材料、厚度、孔隙率及制作工艺等因素。优质的隔膜应具有高绝缘性能和机械强度,能承受大电场强度而不被击穿。在实际应用中,需严格测试和控制隔膜击穿电压,通过优化设计和工艺提升电池安全性。

【技术干货】提升能源利用效率的住宅储能解决方案

电池储能(ESS)解决方案除了应用于工业、发电之外,在家庭住宅部分,也成为当前应用与市场发展的关键。住宅的ESS解决方案所需的功率较小,但对转换效率与安全性的要求,仍与工业应用相同。本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势,以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。

智能传感器:政策助力,未来发展方向揭秘

智能停车位传感器正持续追求高精度与高稳定性,通过技术升级和先进材料应用实现更精准的停车位检测和更稳定的信号传输。未来发展方向包括多功能集成化、无线化与网络化、智能化与自适应性,以及绿色化与环保性。