导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗的秘密~
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOSTM产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。
电池储能（ESS）解决方案除了应用于工业、发电之外，在家庭住宅部分，也成为当前应用与市场发展的关键。住宅的ESS解决方案所需的功率较小，但对转换效率与安全性的要求，仍与工业应用相同。本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势，以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。
BMS中的低边驱动原理主要控制电池负极端的通断，通过功率MOSFET和相关控制电路确保电池充放电过程的安全与高效。其设计简单、成本低廉，但通信时需隔离措施。未来，低边驱动将更智能化、集成化，注重安全性与能效优化，同时模块化、标准化也将成为发展趋势，以适应BMS市场的不断扩大和多样化需求。
随着电动汽车和储能系统的快速发展，BMS中高边驱动的性能要求日益提升。未来，高边驱动将朝更高精度、更稳定及智能化的方向发展，通过集成先进传感器和算法实现精细充放电控制，并与其他系统协同工作提升整体效率与安全性。新材料和新工艺的应用将推动高边驱动技术创新，提高效率和可靠性。安全性和可靠性始终是核心，需加强安全防护和可靠性设计。
BMS作为电池管理的重要部分，高边驱动是其关键组件，通过控制电池正极开关实现充放电过程的精确控制。高边驱动需应对电池复杂特性、高电压大电流挑战，并解决散热和电磁干扰问题。同时，高边驱动设计需考虑电池包与ECU共地问题，确保通信正常。高边驱动的性能直接影响电池系统整体运行效果，需不断优化设计以满足电池管理需求。
反馈光耦通过光电转换实现电路的稳定可靠反馈控制，在电机控制、开关电源、通信和计算机等领域有广泛应用。未来，反馈光耦将朝着高速化、高精度化和智能化方向发展，以满足不断提升的数据传输和测量控制需求，同时融入智能化系统提升系统稳定性。
