ROHM黑马：短路耐受能力更高，且自启动得到抑制
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并异常发热引起热失控，最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力，就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管（热失控的原因），使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快，而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。
抑制自启动带来的损耗
自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化（从0V到施加电压）时，MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值，MOSFET短时间导通的现象。
这种额外的导通时间当然就成为损耗。
其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt，或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策。
而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容，从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。
电池储能（ESS）解决方案除了应用于工业、发电之外，在家庭住宅部分，也成为当前应用与市场发展的关键。住宅的ESS解决方案所需的功率较小，但对转换效率与安全性的要求，仍与工业应用相同。本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势，以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。
智能停车位传感器正持续追求高精度与高稳定性，通过技术升级和先进材料应用实现更精准的停车位检测和更稳定的信号传输。未来发展方向包括多功能集成化、无线化与网络化、智能化与自适应性，以及绿色化与环保性。
智能停车位传感器需具备高度环境适应性，以确保在各种恶劣条件下稳定工作，同时需具备高灵敏度和准确性以判断车位占用情况并区分车辆与其他障碍物。传感器还需具备稳定可靠的数据传输能力，并与管理系统高效通信。降低功耗、延长使用寿命、降低成本是技术发展的关键。
智能停车位传感器利用高灵敏度的物理感应机制，包括压力传感、红外传感和超声波传感技术，实时监测停车位状态。传感器能够检测车辆停放与否，并通过无线通信传输信息至中央控制系统或用户设备。在路边停车、商业中心、机场医院等场所，传感器可提升停车位利用率，提供导航服务。
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体（以下简称“ST”）宣布，罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH（以下简称“SiCrystal”）将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。
