R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4是ROHM推出的3款漏源电压为600V的N沟道功率MOSFET,这3款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。同时,它们的导通电阻很低,具有较快的开关速度,且产品易于并联使用。3款功率MOSFET适用于开关类应用。
图1 R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品图
这3款产品均采用TO-247封装,具体如图2。
图2 R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET封装
电气特性方面,R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4的漏源电压均为600V,栅源电压均为±20V,结温均为150℃,工作和存储温度均为-55℃~150℃,符合工业级温度要求,25℃下的饱和漏极电流均为100μA,栅源极漏电流均为±100nA。但3款MOSFET的连续漏极电流,脉冲漏极电流,功耗,结壳热阻,导通电阻,栅极电阻,上升时间,下降时间不同,具体如图3。
图3 R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4的电气参数
R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品特性: 低导通电阻 快开关速度 易于并联 无铅电镀 符合RoHS标准
R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品应用: 开关类应用
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