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SCT2120AF是ROHM公司推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，其最大漏源电压为650V；在TC= 25°C时，其持续漏极电流为29A，脉冲漏极电流为72A，栅源电压范围为-6~+22V，其具有较大的电流承载能力，可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌造成的冲击损坏。N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF封装形式为TO-220AB插针封装，其中1引脚为栅极，2引脚为漏基，3引脚为源基；其结温热阻典型值为0.7℃/W，功耗最大为165W，储存温度范围为-55~175℃，结温最高可达到175℃，工作温度范围广，能够满足恶劣环境工作要求。
N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF在VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃条件下，其漏极电流典型值为1uA；在VGS=+22V，VDS=0V条件下，其栅源泄漏电流最大为100nA，在VGS=-6V，VDS=0V条件下，其栅源泄漏电流最大为-100nA；在VDS=VGS，ID=3.3mA条件下，其栅源阈值电压范围为1.6V~4V；另外N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF在VGS=18V，ID=10A，TJ=25℃条件下，其静态漏源导通电阻典型值为120mΩ，其具有导通阻抗低、切换速度快、反向恢复快速、易于并联和驱动简单等优势，且不含铅并符合ROHS标准，可用于太阳能逆变器、DC / DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等场合。 
图1 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF外形和内部电路图
N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的产品特性及优势： •低导通阻抗 •切换速度快 •反向恢复快速 •易于并联 •驱动简单 •不含铅，符合ROHS标准
N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的主要应用： •太阳能逆变器 •DC / DC转换器 •开关电源 •感应加热 •电机驱动
N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格： 
图2 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格
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发表于 2019-6-26 13:01:36
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