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[分享] 罗姆开发出车载用内置绝缘元件的栅极驱动器BM6103FV-C

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发表于 2019-3-3 17:30:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都市)开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。

本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术,作为内置了绝缘元件的栅极驱动器,是业界最小※的小型封装,有助于逆变器电路的小型化。另外,与传统的光耦方式相比,可大幅降低耗电量,而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求,可减少设计时的工作量。

立即下载BM6103FV-C数据手册:bm6103fv-c-e数据手册.pdf

不仅如此,还支持作为新一代功率半导体备受期待的SiC(Silicon carbide:碳化硅)的功率MOSFET的高速开关,非常有助于实现更加高效、更加低功耗的新一代电动汽车。

生产基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国),预计从2012年6月份开始销售样品(样品价格:1,000日元),从 2012年9月份开始以月产1万个的规模投入量产。※根据罗姆的调查(截至2012年5月22日)

近年来,随着EV和HEV的不断普及,为了进一步提高性能,对动力单元的逆变器电路小型化的要求高涨。一方面,一般每个车载用逆变器内置6个栅极驱动器,为了实现逆变器电路的小型化,栅极驱动器的小型化势在必行。此外,在车载特有的苛刻的驱动环境中,为实现确保安全性的逆变器电路,不仅需要各种保护功能,为了防止驾驶员触电,作为绝缘元件必须配备光耦等外置零件。在这种情况下,对于内置绝缘元件、并且小型的栅极驱动器的需求日益高涨。

另一方面,有望内置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆变器电路时,解决其高速开关性能所导致的噪音也已成为重大课题。

此次罗姆采用独创的微细加工技术,开发出片上变压器工艺,进而成功开发出小型并且内置了绝缘元件的栅极驱动器。无需外置零件,同时通过采用小型封装,与传统产品相比,安装面积减少了约50%。不仅如此,由于内置车载逆变器电路所需的全部保护功能,不仅有助于实现逆变器的小型化,还非常有助于减轻设计负担。
另外,针对逆变器电路中内置SiC元件、模块时的噪音,通过与引以为豪的“业界最尖端”的罗姆自产SiC元件、模块相结合进行开发,以最佳的电路设计成功解决了这个问题,从而成为业界唯一支持SiC的内置绝缘元件的栅极驱动器。

罗姆将以SiC为首的功率元件事业作为发展战略之一定位,于2012年3月世界首家开始了“全SiC”功率模块的量产。今后,罗姆继续推进最大限度发挥SiC特性的栅极驱动器的开发,同时,还将推进SiC-IPM(智能功率模块)等的开发,不断完善SiC相关产品的阵容。

<特点>
通过罗姆独创的无铁芯变压器技术,内置2,500Vrms绝缘元件
小型封装
与传统产品相比,SSOP-B20W( 6.5mm×8.1mm H=Max 2.01mm)将安装面积减少了50%以上
通过内置所有的保护功能,实现安全设计、
内置了车载逆变器电路所要求的全部保护功能:米勒钳位功能、故障输出功能、低电压时误动作防止功能、热保护功能、短路保护功能、短路保护时软关断功能。
《主要规格》

4)   还支持SiC的高速开关
业界唯一支持SiC元件电路的产品。罗姆生产的SiC可以在最大800V、400A输出状态下确保稳定驱动。

<术语解说>
・IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor的简称)
绝缘栅双极晶体管。在栅极构建了MOSFET的双极晶体管。
・MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的简称)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。


【关于罗姆(ROHM)】
罗姆(ROHM)是全球著名半导体厂商之一,创立于1958年,是总部位于日本京都市的跨国集团公司。"品质第一"是罗姆的一贯方针。我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献。
历经半个多世纪的发展,罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被动元件以及模块产品。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
罗姆十分重视中国市场,已陆续在全国设立多家代表机构,在大连和天津先后开设工厂,并在上海和深圳设立技术中心和品质保证中心提供技术和品质支持。

【关于罗姆(ROHM)在华业务的发展】
作为在中国市场的销售基地,最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司,随后,随着中国电子市场的扩大,在1999年成立了罗姆半导体(上海)有限公司,2003年成立了罗姆半导体贸易(大连)有限公司,2006年成立了罗姆半导体(深圳)有限公司,至今已形成了以这4家销售公司和18家分公司为结构的销售网络(分公司:北京、天津、青岛、长春、南京、无锡、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、惠州、厦门、珠海、成都、重庆)。
并且,作为技术支持基地,1993年开设了香港技术中心,2000年开设了上海技术中心,2006年开设了深圳技术中心。作为生产基地,1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行晶体管、二极管、LED、半导体激光、LED显示器的生产、在大连进行电源模块、热敏打印头、多线传感头、光电模块的生产,作为罗姆半导体集团的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。
此外,作为社会贡献活动中的一环,罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件最尖端技术开发的产学联合。
2008年,在清华大学内由罗姆捐资(建设费约20亿日元)建设“清华罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。 除清华大学之外,罗姆还与西安交通大学、电子科技大学、浙江大学和同济大学等高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。
起初,罗姆进入中国市场的目的是为日本以及欧美、韩国等电子产品制造商的中国生产基地提供周到的销售支持、产品供给,以此展开业务。但是随着中国经济的发展,中国电子市场的壮大,正在面向发展壮大起来的中国电子制造商建立积极的和销售体制。
为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、销售、制造与一体的一条龙体制。特别加强应对内陆地区,于2010年下半期至今新开设了西安、成都、重庆、武汉、长春5家分公司。并且,计划在今后以本地工程师为中心,将各设计中心的开发人员和FAE人数增倍。

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