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罗姆ROHM有/无内置绝缘器件的栅极驱动器选型推荐

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发表于 2019-3-10 15:26:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
ROHM集团是全球最知名的半导体厂商之一,其产品涉及多个领域,其中包括IC、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。罗姆采用其独创的微细加工技术,开发出片上变压器工艺,进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。ROHM栅极驱动器包括内置绝缘元器件类型和其他类型(MOSFET/IGBT高边低边),内置各种保护电路,适合用于驱动工业设备用的IGBT、MOSFET。



ROHM栅极驱动器产品线丰富,本文主要从有无内置绝缘元器件、隔离电压、I/O延迟时间、脉冲宽度、栅极电压、导通/关断时间等角度来对ROHM的栅极驱动器进行器件选型的分析。



内置绝缘元器件的栅极驱动器

ROHM内置绝缘元器件的栅极驱动器可提供标准级、工业级以及汽车级产品,该类型栅极驱动器最大的特点就是内置绝缘元器件,具有较强的隔离耐压性,汽车级产品隔离电压高达3750Vrms。



标准级栅极驱动器:BM6105AFW-LBZ,I/O延迟时间为120ns,最小输入脉冲宽度为60ns,最大栅极电压为20V;

工业级栅极驱动器:BM6108FV-LB,I/O延迟时间为150ns,最小输入脉冲宽度为90ns,最大栅极电压为24V;

汽车级栅极驱动器:BM60051FV-C/BM60055FV-C,内置反激式电源,I/O延迟时间为260ns/为250ns、最小输入脉冲宽度为180ns/170ns;BM61M41RFV-C/BM61S41RFV-C,I/O延迟时间均为65ns、最小输入脉冲宽度均为65ns。



BM6105AFW-LBZ、BM6108FV-LB两款产品工作温度范围均为-40˚C~105˚C,隔离电压高达2500Vrms,可用于工业装备的IGBT和MOSFET栅极驱动。



BM60051FV-C/BM60055FV-C/BM61M41RFV-C/BM61S41RFV-C,符合AEC-Q100标准,工作温度范围均为-40˚C~125˚C。其中,BM60051FV-C/BM60055FV-C隔离电压高达2500Vrms,可用于汽车隔离IGBT/MOSFET逆变器栅极驱动、汽车DC/DC转换器、工业逆变器系统和UPS系统等领域;BM61M41RFV-C、BM61S41RFV-C隔离电压高达3750Vrms,适合用于SiC MOSFET栅极驱动。



其他(无内置绝缘元器件)

ROHM其他类型的栅极驱动器包括MOSFET/IGBT高边低边栅极驱动器、MOSFET/IGBT高边低边3相桥驱动器,工作温度范围均为-40˚C~125˚C,可通过自举操作驱动外接的Nch-FET及IGBT,非常适合用于MOSFET和IGBT的高边驱动应用。



MOSFET/IGBT高边低边栅极驱动器:

BS2101F、BS2103F,标准级,600V高耐压,栅极驱动供电电压范围为10V~18V,导通/关断时间典型值为220ns;

BM60213FV-C/BM60212FV-C,汽车级,1200V高耐压,栅极驱动供电电压最大24V,导通/关断时间最大值为75ns。



MOSFET/IGBT高边低边3相桥驱动器:

BS2130F-G、BS2132F,标准级,600V高耐压,栅极驱动供电电压范围为11.5V~20V,导通/关断时间典型值为630ns/580ns。BS2132F相较BS2130F-G,VCC引脚和VB引脚之间集成了600V高压自举二极管。



ROHM栅极驱动器产品种类丰富,既有内置绝缘元器件的栅极驱动器(高隔离电压),也有无内置绝缘元器件的IGBT/MOSFET高边/低边(3相桥)栅极驱动器,产品可靠性高,速度快,延迟时间或导通/关断时间短,且产品涵盖标准级、工业级、汽车级(符合AEC-Q100标准),用户可根据实际项目的不同需求进行选型。

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