罗姆ROHM有/无内置绝缘器件的栅极驱动器选型推荐

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ROHM集团是全球最知名的半导体厂商之一，其产品涉及多个领域，其中包括IC、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。罗姆采用其独创的微细加工技术，开发出片上变压器工艺，进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。ROHM栅极驱动器包括内置绝缘元器件类型和其他类型（MOSFET/IGBT高边低边），内置各种保护电路，适合用于驱动工业设备用的IGBT、MOSFET。



ROHM栅极驱动器产品线丰富，本文主要从有无内置绝缘元器件、隔离电压、I/O延迟时间、脉冲宽度、栅极电压、导通/关断时间等角度来对ROHM的栅极驱动器进行器件选型的分析。



内置绝缘元器件的栅极驱动器

ROHM内置绝缘元器件的栅极驱动器可提供标准级、工业级以及汽车级产品，该类型栅极驱动器最大的特点就是内置绝缘元器件，具有较强的隔离耐压性，汽车级产品隔离电压高达3750Vrms。



标准级栅极驱动器：BM6105AFW-LBZ，I/O延迟时间为120ns，最小输入脉冲宽度为60ns，最大栅极电压为20V；

工业级栅极驱动器：BM6108FV-LB，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，最大栅极电压为24V；

汽车级栅极驱动器：BM60051FV-C/BM60055FV-C，内置反激式电源，I/O延迟时间为260ns/为250ns、最小输入脉冲宽度为180ns/170ns；BM61M41RFV-C/BM61S41RFV-C，I/O延迟时间均为65ns、最小输入脉冲宽度均为65ns。



BM6105AFW-LBZ、BM6108FV-LB两款产品工作温度范围均为-40˚C~105˚C，隔离电压高达2500Vrms，可用于工业装备的IGBT和MOSFET栅极驱动。



BM60051FV-C/BM60055FV-C/BM61M41RFV-C/BM61S41RFV-C，符合AEC-Q100标准，工作温度范围均为－40˚C~125˚C。其中，BM60051FV-C/BM60055FV-C隔离电压高达2500Vrms，可用于汽车隔离IGBT/MOSFET逆变器栅极驱动、汽车DC/DC转换器、工业逆变器系统和UPS系统等领域；BM61M41RFV-C、BM61S41RFV-C隔离电压高达3750Vrms，适合用于SiC MOSFET栅极驱动。



其他（无内置绝缘元器件）

ROHM其他类型的栅极驱动器包括MOSFET/IGBT高边低边栅极驱动器、MOSFET/IGBT高边低边3相桥驱动器，工作温度范围均为－40˚C~125˚C，可通过自举操作驱动外接的Nch-FET及IGBT，非常适合用于MOSFET和IGBT的高边驱动应用。



MOSFET/IGBT高边低边栅极驱动器：

BS2101F、BS2103F，标准级，600V高耐压，栅极驱动供电电压范围为10V~18V，导通/关断时间典型值为220ns；

BM60213FV-C/BM60212FV-C，汽车级，1200V高耐压，栅极驱动供电电压最大24V，导通/关断时间最大值为75ns。



MOSFET/IGBT高边低边3相桥驱动器：

BS2130F-G、BS2132F，标准级，600V高耐压，栅极驱动供电电压范围为11.5V~20V，导通/关断时间典型值为630ns/580ns。BS2132F相较BS2130F-G，VCC引脚和VB引脚之间集成了600V高压自举二极管。



ROHM栅极驱动器产品种类丰富，既有内置绝缘元器件的栅极驱动器（高隔离电压），也有无内置绝缘元器件的IGBT/MOSFET高边/低边（3相桥）栅极驱动器，产品可靠性高，速度快，延迟时间或导通/关断时间短，且产品涵盖标准级、工业级、汽车级（符合AEC-Q100标准），用户可根据实际项目的不同需求进行选型。

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