请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版
搜索
热搜: ROHM 模拟 车载
查看: 25|回复: 2

[分享] 两款低饱和压降、低开关损耗的600V沟槽栅IGBT,100℃最大集...

  [复制链接]

该用户从未签到

1122

主题

3150

帖子

0

精华

论坛元老

最后登录
2019-4-25
发表于 2019-3-13 12:49:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

罗姆(ROHM)作为半导体、电子零部件的全球知名的半导体厂商之一,其利用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)——RGCL60TS60D和RGCL80TS60D。其采用TO-247N的封装方式,且达到无铅标准和RoHS认证,是一款绿色环保器件。另外,晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、软切换的特点,同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管。可应用于部分开关PFC、放电电路和变频器制动器等领域。


图1 RGCL60TS60D/RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管封装及电气原理图


RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的集电极-发射极电压VCES最大值均为600V,集电极-射极饱和压降VCE(sat)的典型值均为1.4V,器件易于驱动。在25℃时,集电极电流IC最大值分别48A、65A;100℃时,集电极电流IC最大值分别为30A、40A,在25℃下的功耗PD分别为111W、148W,产品适用于高压大电流的电力系统。另外,其工作结温范围为-40℃~175℃,存储温度范围在-55℃~175℃,能够耐受苛刻的温度环境,具有高电气可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)仅为1.34℃/W和1.01℃/W,器件热传导性能良好,为大功率应用提供良好的散热保障,有效降低冷却成本。


在IC=30/40A,VCC=400V,VGE=15V,RG=10Ω,Tj=25℃情况下,RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值分别为44ns、53ns,关断延迟时间td(off)典型值分别为186ns、227ns。具有开关速度快、切换速度高的使用优势。同时,其开通能量损耗Eon典型值仅为0.77mJ、1.11mJ,关断能量损耗Eoff典型值为1.11mJ、1.68mJ。开关损耗极少,开通和关断过程中的产热少,能量利用率高。另外,两款产品的栅极电荷总量Qg典型值为68nC、98nC,栅极-发射极电荷Qge典型值为13nC、20nC,栅极-集电极电荷Qgc典型值为27nC、38nC。电荷量低,开关充放电时间短。因此,产品具有更低的开关损耗和更高的开关速度,可用于需要高速切换的应用场合。


RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管特点:

·软切换

·低集电极-射极饱和压降VCE(sat):典型值1.4V

·内置快恢复二极管,具有软恢复功能

·达到无铅标准,通过了RoHS认证


RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管应用:

·部分开关PFC

·放电电路

·变频器制动器


回复

使用道具 举报

该用户从未签到

1153

主题

5622

帖子

0

精华

论坛元老

最后登录
2019-4-25
发表于 2019-3-13 14:35:10 | 显示全部楼层
看看了
回复

使用道具 举报

该用户从未签到

44

主题

1972

帖子

0

精华

论坛元老

最后登录
2019-4-25
发表于 2019-3-13 15:59:11 | 显示全部楼层
666            
QQ图片20190122083818.png
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /2 下一条

小黑屋|手机版|Archiver|罗姆半导体技术社区

GMT+8, 2019-4-25 12:19 , Processed in 0.107314 second(s), 15 queries , MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表