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[分享] 漏源电压为600V的N沟道功率MOSFET,易于并联使用、适于开关...

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发表于 2019-5-6 12:39:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4是ROHM推出的3款漏源电压为600V的N沟道功率MOSFET,这3款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。同时,它们的导通电阻很低,具有较快的开关速度,且产品易于并联使用。3款功率MOSFET适用于开关类应用。


图1     R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品图


这3款产品均采用TO-247封装,具体如图2。

  

图2     R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET封装


电气特性方面,R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4的漏源电压均为600V,栅源电压均为±20V,结温均为150℃,工作和存储温度均为-55℃~150℃,符合工业级温度要求,25℃下的饱和漏极电流均为100μA,栅源极漏电流均为±100nA。但3款MOSFET的连续漏极电流,脉冲漏极电流,功耗,结壳热阻,导通电阻,栅极电阻,上升时间,下降时间不同,具体如图3。


图3     R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4的电气参数


R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品特性:

低导通电阻

快开关速度

易于并联

无铅电镀

符合RoHS标准


R6020KNZ4,R6047KNZ4,R6076KNZ4功率MOSFET的产品应用:

开关类应用


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发表于 2019-5-6 13:18:49 | 显示全部楼层
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发表于 2019-5-6 17:16:44 | 显示全部楼层
看看了
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 楼主| 发表于 2019-5-7 09:27:46 | 显示全部楼层

谢谢回复
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