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[分享] 适用于通用开关应用的TO-263S封装N沟道功率MOSFET

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发表于 2019-5-7 12:52:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ是ROHM推出的3款漏源电压为600V的N沟道功率MOSFET,这3款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。同时,它们的导通电阻很低,具有较快的开关速度和反向恢复速度,而且这3款MOSFET的驱动电压仅15V,具有卓越的电气性能,在通用的开关应用中有着广泛的应用。



图1      R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的产品图


R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ均为TO-263S封装,具体如图2。


   

图2    R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的封装


R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的漏源电压均为600V,结温均为150℃,存储温度均为-55℃~150℃,有很好的温度环境适应能力。3款MOSFET的漏源击穿电压均为600V,饱和漏源极漏电流的最大值均为100μA,栅源极漏电流的最大值均为±100nA,栅极阈值电压相同,其最小值,典型值,最大值依次为5.0V/6.0V/7.0V。但它们的连续漏极电流等电气参数不同,具体如图3。



图3     R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的电气参数


R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ  N沟道功率MOSFET的特性:

快速反向恢复时间
低导通电阻
开关速度快
简单的驱动电路
无铅电镀

符合RoHS标准


R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ  N沟道功率MOSFET的应用:

通用开关应用


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