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[分享] 600V高压三相桥式驱动器,可用于驱动N沟道功率MOSFET和IGBT

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发表于 2019-5-11 10:11:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

ROHM推出的BS2130F-G是一款单片桥式驱动器IC,可通过自举操作驱动三相系统中的N沟道功率MOSFET和IGBT驱动器。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。 逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。 为了提供保护电路,该器件包括欠压锁定(UVLO)电路和过流保护(OCP)电路。 当VCC和VBS低于指定的阈值电压时,UVLO电路可防止发生故障。

BS2130F-G单片桥式驱动器IC特征

●      用于自举操作的浮动通道至+ 600V

●      栅极驱动电压范围为11.5V至20V

●      两个通道的内置欠压锁定

●      该器件包括过流保护电路

●      内置使能通道(EN),可启用I / O功能

●      内置FAULT通道(/ FAULT),指示过流和欠压

●      RCIN通道可以通过外部电阻和电容确定OCP保持时间

●      3.3V和5.0V输入逻辑兼容

●      与输入同相输出

BS2130F-G单片桥式驱动器IC主要规格

●      高端浮动供电电压:600V

●      输出电压范围:11.5~20V

●      最小输出电流Io + / Io-:200mA / 350mA(典型值)

●      OCP检测电压0.46V(典型值)

●      OCP消隐时间150ns(Typ)

●      开启/关闭时间:630 / 580ns(典型值)

●      偏置电源漏电流:50μA(最大值)

●      工作温度范围:-40°C~ + 125°C

封装   W(典型值)x D(典型值)x H(最大值)

SOP-28 18.50mm x 9.90mm x 2.41mm

BS2130F-G单片桥式驱动器IC应用

MOSFET和IGBT高端驱动器应用

BS2130F-G单片桥式驱动器IC典型应用电路



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 楼主| 发表于 2019-5-13 10:34:09 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2019-5-13 10:54:25 | 显示全部楼层

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