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[分享] 650V/118A N沟道功率MOSFET SCT3017AL,导通电阻低

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发表于 2019-6-14 15:51:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
SCT3017AL是ROHM公司推出的N沟道功率MOSFET,其漏-源电压VDSS 为650V,持续漏极电流ID 可达118A(@Tc = 25°C),导通电阻典型值仅为17mΩ(@VGS = 18V, ID = 47A,Tj = 25°C)。SCT3017AL凭借低导通电阻、高速转换与快速反向恢复等优势,且易于驱动,符合RoHS标准,可应用于太阳能逆变、DC/DC转换、感应加热、电机驱动、开关电源等应用领域。
SCT3017AL功率MOSFET采用TO-247N封装方式,其外形图与电路结构见图1所示。
图1 SCT3017AL功率MOSFET外形图与电路结构

SCT3017AL的漏极电流,驱动电压等关键参数见图2所示。其VGS (th)阈值电压范围为2.7 -5.6 V,典型(测试条件VDD = 300V, ID = 18A,VGS = 18V/0V,RL = 17Ω,RG = 0Ω)上升时间为44ns,下降时间为31 ns。典型(测试条件IF = 47A, VR = 300V)反向恢复时间31 ns。图3为SCT3017AL的转换特性的描述。
图2 SCT3017AL功率MOSFET关键电气参数
图3 SCT3017AL转换特性
SCT3017AL为 SiC 型MOSFET, 与硅、砷化镓系列相比,其转换频率更高以及具备更低的导通电阻。在MOSFET应用中,经常会遇到因为驱动回路的不对称等因素导致的MOSFET导通、关断时间不一致,因此选择优良性能的MOSFET以及合适的外部驱动至关重要。另外,在MOSFET并联应用中,需要关注并联电路的电流分配不均匀问题,搭建电路尽量选择参数一致的MOSFET,尽量减少栅极电阻以及采取合理的布置器件与走线方式,SCT3017AL在结构设置上有针对的降低了驱动电路设计的复杂性,在一定程度上可以缩减产品开发时间。

图4为SCT3017AL的包装规范说明。
图4 SCT3017AL的包装规范
N沟道功率MOSFET SCT3017AL产品特性:
•低导通电阻
•较快的转换速度与反向恢复速度
•易于并联与驱动
•符合ROHS标准

N沟道功率MOSFET SCT3017AL主要应用:
•太阳能逆变器
•DC/DC转换器
•开关电源
•感应加热
•电机驱动



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发表于 2019-6-14 20:38:02 | 显示全部楼层
资料很有用,谢谢 luomu.png
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 楼主| 发表于 2019-6-15 09:17:15 | 显示全部楼层

谢谢回复
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