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[分享] 650V/29A的N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF,导通阻抗只有120mΩ

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发表于 2019-6-26 13:01:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

SCT2120AF是ROHM公司推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET,其最大漏源电压为650V;在TC= 25°C时,其持续漏极电流为29A,脉冲漏极电流为72A,栅源电压范围为-6~+22V,其具有较大的电流承载能力,可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌造成的冲击损坏。N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF封装形式为TO-220AB插针封装,其中1引脚为栅极,2引脚为漏基,3引脚为源基;其结温热阻典型值为0.7℃/W,功耗最大为165W,储存温度范围为-55~175℃,结温最高可达到175℃,工作温度范围广,能够满足恶劣环境工作要求。


N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF在VDS=650V,VGS=0V,TJ=25℃条件下,其漏极电流典型值为1uA;在VGS=+22V,VDS=0V条件下,其栅源泄漏电流最大为100nA,在VGS=-6V,VDS=0V条件下,其栅源泄漏电流最大为-100nA;在VDS=VGS,ID=3.3mA条件下,其栅源阈值电压范围为1.6V~4V;另外N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF在VGS=18V,ID=10A,TJ=25℃条件下,其静态漏源导通电阻典型值为120mΩ,其具有导通阻抗低、切换速度快、反向恢复快速、易于并联和驱动简单等优势,且不含铅并符合ROHS标准,可用于太阳能逆变器、DC / DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等场合。

图1 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF外形和内部电路图


N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的产品特性及优势:

•低导通阻抗

•切换速度快

•反向恢复快速

•易于并联

•驱动简单

•不含铅,符合ROHS标准


N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的主要应用:

•太阳能逆变器

•DC / DC转换器

•开关电源

•感应加热

•电机驱动


N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格:

图2 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格


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发表于 2019-7-17 15:35:52 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2019-7-18 09:41:19 | 显示全部楼层

谢谢回复
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