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碳化硅功率元器件具有高耐压、低损耗、高速开关性能等传统的硅材料元器件所不具备的优异特性。如今，对它的期待正以不可估量的势态高涨。全球瞩目的最尖端功率元器件—碳化硅 (SiC)，罗姆已正式开始量产。通过全球领先的研发投入，罗姆将满足对功率元器件的需求。
近年来，全球对电力的需求逐年增长。伴随着化学燃料的枯竭和CO2排放量增多引发的全球变暖等现象，人们对能源问题和地球环境问题的担忧日益加深，电力的有效利用已成为当务之急。作为节能和减少CO2排放量的产品，罗姆向市场提供低功耗、高效率变换的LSI (大规模集成电路)，高集成电路、无源元件、光学半导体和使用上述元器件的模块等“环保元器件”。其中，碳化硅功率元器件作为新一代“环保元器件”，备受业界关注。
一、“全碳化硅”功率模块：开关损耗最大减少85％ 采用罗姆生产的碳化硅元器件，推出低浪涌噪音的功率模块。最大限度发挥碳化硅的高速性能。大幅降低开关损耗。比Si-IGBT大幅降低损耗。
· 特点（BSM120D12P2C005）： 1、开关损耗最大降低85％（与传统产品Si-IGBT模块比较） 2、体积减少约50％ 3、高速开关 4、额定电压1200Ｖ／额定电流120A
· 与Si-IGBT可以进行替换 碳化硅可以大幅降低开关损耗，根据使用条件可以与Si-IGBT进行替换。
· 内部电路图 (半桥电路)
· 产品线
二、SiC-MOSFET：实现高速、低导通电阻 同时实现硅元器件无法实现的高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性。大幅降低开关损耗，并实现周边元器件的小型化。
· 内部电路图 · 产品线
三、SiC-SBD(碳化硅-肖特基势垒二极管)：大幅降低开关损耗 开发出采用碳化硅材料的SBD (肖特基势垒二极管) ，适用于PFC电路和逆变电路。具有Si-FRD(硅-快速恢复二极管) 无法达到的极短反向恢复时间 (trr) ，实现高速开关。反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可降低开关损耗，有助于设备的小型化。
· 产品线
四、内置绝缘元件的栅极驱动器：采用碳化硅实现高速工作 · 输入输出延迟时间Max.150ns的高速工作 · 使用无铁芯变压器，内置2500Vrms绝缘元件 · 采用独创的消音技术，实现高CMR
· 支持高VGS、负电源 ※BM6101FV-C，BM6104FV-C · 小型封装 （6.5×8.1×2.01mm）
· 推荐工作范围（BM6101FV-C）
· IPM工作波形（BM6101FV-C） · 产品线
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发表于 2019-8-6 10:13:43
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