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通过驱动器源极引脚将 开关损耗降低约35%

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2020-8-4
发表于 2020-4-29 14:39:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
                                             通过驱动器源极引脚将   开关损耗降低约35%
Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路(Figure 2)之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。请看与您之前看到的Figure 2之间的比较。
1111.jpg
从电路图中可以一目了然地看出,包括VG在内的驱动电路中不包含LSOURCE,因此完全不受开关工作时的ID变化带来的VLSOURCE的影响。
333.jpg

如果用公式来表示施加到内部芯片的电压VGS_INT的话,就是公式(2)。当然,计算公式中没有3引脚封装的公式(1)中存在的LSOURCE相关的项。所以,4引脚封装MOSFET的VGS_INT仅受RG_EXT和IG引起的电压降VRG_EXT的影响,而且由于RG_EXT是外置电阻,因此也可调。下面同时列出公式(1)用以比较。

-能给我们看一下比较数据吗?
这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET的开关工作进行比较,而在Figure 5所示的电路条件下使Low Side(LS)的MOSFET开关的双脉冲测试结果。High Side(HS)是将RG_EXT连接于源极引脚或驱动器源极引脚,并仅使用体二极管换流工作的电路。
22222.jpg

有奖问答:在导通数据中,原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ,损耗减少了约___%。(提示:点击链接,要点里面找答案,答对即可得5ROHM金币)

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