MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来,发现有一种方法可以改善MOSFET和IGBT ...
SiC MOSFET栅-源电压测量:探头头部的安装位置 除了此前提到的测量位置之外,还有一个必须要注意的要点,那就是探头头部的安装位置。 通常,在功率开关器件的使用环境中,会对几十到几百安培的电流进行高速开关,所 ...
所谓SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性 本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望 ...
所谓SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的应用实例 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外,除了S ...
所谓SiC-MOSFET-沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品 本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。 独有的双沟槽结构SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极 ...
所谓SiC-MOSFET-体二极管的特性 上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上 ...
所谓SiC-MOSFET-与Si-MOSFET的区别 从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFE ...
所谓SiC-MOSFET-特征 继前篇结束的SiC-SBD之后,本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势 ...
新产品Super Junction MOSFET 通过改进自有的Lifetime控制*3技术实现了____ns业内超快反向恢复时间。 每日答题的这道问题的“40ns”错了吗?查新闻就是这个答案,可是答了两次都报错。 通过改进自有的Lifetime控制*3 ...
重要检查点:MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压 前项介绍了从绝缘型反激式转换器的机上设计开始,接着试作并进入评估,评估是否符合设计目标,也就是输出电压和效率等电源规格的话题。从这里,将就确认关于规 ...
故障排除(Trouble Shooting)① : 当二次侧MOSFET立即关断时 截至上一篇文章,结束了所需部件的选型和常数计算相关的介绍。接下来将分步骤介绍所选部件的PCB板安装、各种特性的确认及其是否符合设计规格的确认工作。 ...
故障排除(Trouble Shooting) ② : 当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时 上一篇文章中介绍了故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”的对策,同时也提到了相应对策的注意事项。本文将介绍当二次侧MOSFET在轻负载 ...
同步整流电路部:同步整流用MOSFET的选型 理解了上一篇文章中“电源规格与替代电路示例”的内容后,下面进入具体的电路设计。原电路的二次侧为二极管整流电路,将其改为同步整流电路的步骤为:1)选择整流二极管替换 ...
使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 小结 此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。 另一个是开关拓扑选用了准谐振方式。准谐振 ...
主要部件选型:MOSFET Q1 变压器设计篇已经结束,接下来将围绕电源ICBD7682FJ-LB的外围元器件进入部件选型部分。本文将摘录并使用所要介绍的部件的外围电路,需要确认整体电路时请点击这里。 主要部件的选型:MOSFET ...
主要部件选型:MOSFET栅极驱动调整电路 本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。 MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17 为了优化外置MOSFET Q1的开关工作,由R16、R17、R18、 ...
设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化 本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述,本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用“SiC-MOSFET”这两个新课题。因此,设计中 ...
在电动汽车(EV)、数据中心、基站、智能电网等领域,由于更高电压、更大容量的电源可以提高便利性,因此电源的电压和容量呈现出显著提高的趋势,而从保护全球环境的角度来看,如何降低能耗已成为非常重要的课题。在 ...
SiC MOSFET栅-源电压测量 -总结- 在本系列之前的文章中,我们以使用了SiC MOSFET的桥式电路为例,介绍了有关栅-源电压测量的注意事项。下面汇总了准确测量栅-源电压所要注意的事项。 [*]在安装探头时,应使探头头 ...
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法 SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动 ...