本帖最后由 shakencity 于 2019-2-21 10:38 编辑
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,由其推出的BD99950MUV电池充电芯片是一款高效、同步窄电压直流(NVDC)系统稳压器和电池充电器控制器,其内置两个分别驱动N沟道MOSFET的电荷泵,可用于自动选择系统电源,非常适用于超极本、笔记本电脑、超便携电脑和平板电脑等应用领域。
BD99950MUV电池充电芯片的输入电压范围为6.0V~24.0V,输出电压范围为3.072V~16.384V。其具有高度的设计灵活性,充电电压,充电电流,AC适配器电流和最小系统电压可通过SMBus编程,充电电压分辨率为16mV,充电器电流分辨率为64mA,输入电流分辨率为64mA,最小系统电压分辨率为64mV;另外,对于小型电感,PWM开关频率也可由SMBus编程,最高可达1.2MHz(范围为600kHz~1.2MHz)。
BD99950MUV电池充电芯片具有高精度优势。其充电电压精度和最小系统电压精度均高达±0.5%,充电电流精度和输入电流精度均为±3%,电流放大器输出精度高达±2%,高精度使得产品可以精确的控制电池充放电,有利于保护设备电气安全,并延长设备使用寿命;同时,BD99950MUV电池充电芯片具有低功耗的优势,其待机电流典型值仅为17μA,断态电池放电电流为15μA,功率损耗最高仅1.64W,非常适用于以低功耗为主要考虑因素的应用领域,如便携式笔记本设备;另外,BD99950MUV具有快速响应能力。在Turbo模式下具有超快速瞬态响应,时间低于100μs,在没有电池或电池耗尽的情况下可瞬时接通运行,最大限度的提高CPU性能。
BD99950MUV电池充电芯片的储存温度最大范围为-55℃~150℃,结温范围为-20℃~125℃,操作温度范围为-10℃~85℃,满足商业级产品的应用需求,可以很好地应用于消费电子领域。采用20引脚VQFN20PV3535封装,尺寸为3.50mm*3.50mm *1.00mm。其封装外形、引脚配置如下:
图1 BD99950MUV电池充电芯片封装外形
图2 BD99950MUV电池充电芯片引脚配置
BD99950MUV电池充电芯片突出特点与优势 ·N沟道MOSFET可通过内部电荷泵选择电池或适配器 ·Turbo模式下的快速DPM瞬态响应(<100μs) ·通过BGATE电荷泵进行涓流充电 ·低工作电流BGATE电荷泵,17μA(典型值) ·MLCC输出电容器 ·无电池或电池耗尽的情况下的快速负载电流瞬态响应 ·NMOS-NMOS同步降压控制器 ·可编程600kHz~1.2MHz开关频率 ·可编程充电电压(16mV分辨率)、充电器电流(64mA分辨率)、输入电流(64mA分辨率)、最小系统电压(64mV分辨率) ·±0.5%充电电压精度 ·±3%充电电流精度 ·±3%输入电流精度 ·±0.5%最小系统电压精度 ·±2%20x输入电流放大器输出精度 ·集成环路补偿 ·电池学习(LEARN)功能 ·交流适配器工作范围:6.0V~24.0V ·20引脚 3.5mm×3.5mm VQFN20PV3535封装
BD99950MUV电池充电芯片应用领域 ·超极本 ·笔记本电脑 ·超便携电脑 ·平板电脑
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