|
罗姆(ROHM)作为半导体、电子零部件的全球知名的半导体厂商之一，其利用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGCL60TS60D和RGCL80TS60D。其采用TO-247N的封装方式，且达到无铅标准和RoHS认证，是一款绿色环保器件。另外，晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、软切换的特点，同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管。可应用于部分开关PFC、放电电路和变频器制动器等领域。
  图1 RGCL60TS60D/RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管封装及电气原理图
RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的集电极-发射极电压VCES最大值均为600V，集电极-射极饱和压降VCE（sat）的典型值均为1.4V，器件易于驱动。在25℃时，集电极电流IC最大值分别48A、65A；100℃时，集电极电流IC最大值分别为30A、40A，在25℃下的功耗PD分别为111W、148W，产品适用于高压大电流的电力系统。另外，其工作结温范围为-40℃~175℃，存储温度范围在-55℃~175℃，能够耐受苛刻的温度环境，具有高电气可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)仅为1.34℃/W和1.01℃/W，器件热传导性能良好，为大功率应用提供良好的散热保障，有效降低冷却成本。
在IC=30/40A，VCC=400V，VGE=15V，RG=10Ω，Tj=25℃情况下，RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值分别为44ns、53ns，关断延迟时间td(off)典型值分别为186ns、227ns。具有开关速度快、切换速度高的使用优势。同时，其开通能量损耗Eon典型值仅为0.77mJ、1.11mJ，关断能量损耗Eoff典型值为1.11mJ、1.68mJ。开关损耗极少，开通和关断过程中的产热少，能量利用率高。另外，两款产品的栅极电荷总量Qg典型值为68nC、98nC，栅极-发射极电荷Qge典型值为13nC、20nC，栅极-集电极电荷Qgc典型值为27nC、38nC。电荷量低，开关充放电时间短。因此，产品具有更低的开关损耗和更高的开关速度，可用于需要高速切换的应用场合。
RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管特点： ·软切换 ·低集电极-射极饱和压降VCE（sat）：典型值1.4V ·内置快恢复二极管，具有软恢复功能 ·达到无铅标准，通过了RoHS认证
RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管应用： ·部分开关PFC ·放电电路 ·变频器制动器
| 
[复制链接]
/3 
发表于 2019-3-13 12:49:21
