R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ是ROHM推出的3款漏源电压为600V的N沟道功率MOSFET,这3款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准。同时,它们的导通电阻很低,具有较快的开关速度和反向恢复速度,而且这3款MOSFET的驱动电压仅15V,具有卓越的电气性能,在通用的开关应用中有着广泛的应用。
图1 R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的产品图
R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ均为TO-263S封装,具体如图2。
图2 R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的封装
R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的漏源电压均为600V,结温均为150℃,存储温度均为-55℃~150℃,有很好的温度环境适应能力。3款MOSFET的漏源击穿电压均为600V,饱和漏源极漏电流的最大值均为100μA,栅源极漏电流的最大值均为±100nA,栅极阈值电压相同,其最小值,典型值,最大值依次为5.0V/6.0V/7.0V。但它们的连续漏极电流等电气参数不同,具体如图3。
图3 R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ的电气参数
R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ N沟道功率MOSFET的特性: 快速反向恢复时间
低导通电阻
开关速度快
简单的驱动电路
无铅电镀 符合RoHS标准
R6012JNJ,R6018JNJ,R6020JNJ N沟道功率MOSFET的应用: 通用开关应用
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