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ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，该系列产品“支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101”，而且共有13款型号，拥有业界丰富的产品阵容。 为了延长xEV的续航距离，要求车载充电器实现高输出、高效率 近年来，xEV（电动汽车的总称）汽车迅速普及。其中电动汽车（EV）的普及速度尤为迅速，然而续航距离短却成为亟需解决的课题。为了延长续航距离，所配置电池的容量呈日益增加趋势，与此同时，还要求缩短充电时间。为了满足这种市场需求，比起11kW、22kW这样的说法，市场更需要更高输出、更高效率的车载充电器，故采用SiC MOSFET的应用案例越来越多。另外，以欧洲为中心，所配置电池的电压也呈日益增高趋势（800V），这就需要更高耐压且更低损耗的功率元器件。
基于这种市场需求，ROHM一直致力于扩充支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容。此次新增的10款型号，是采用了ROHM第三代沟槽栅结构的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET与第二代平面型SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。这些新产品的加入，使包括SiC SBD（肖特基势垒二极管）在内的满足AEC-Q101标准的分立型产品目前多达34款型号，实属业界顶级阵容。下面是满足AEC-Q101标准的SiC MOSFET所有产品的阵容。如欲了解单个产品的规格，请点击产品名称的链接。
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发表于 2019-7-17 10:39:34
发表于 2019-7-26 15:43:37
