（名单公布）学习SiC小知识，争做罗姆答题王

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正确答案

1.B  D    2.C  D     3.C  D    4.B  D    5.C  D    6.C  D    7.D  A

8.C  D     9.A  A     10.D B

中奖名单公布：

驱蚊手环：@EricCheng @ heiword @ tvb2058 @lospring   @ lxl666 @ zwei99999999    @linghz @mars5514 @guoyuli @HXM9531

50元京东券：@sumoon_yao   @ zwjiang8212      

恭喜大家获奖！请以上用户在8.7前联系管管QQ:1282559705领奖，逾期无效。

                                                         学习SiC小知识，争做罗姆答题王

与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC） 器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。

SiC技术应用：

1.太阳能和风能的DC/AC转换器中的高效逆变器

2.电动和混合动力汽车的功率转换器

3.工业设备和空调设备的功率逆变器

4.X射线发生器的高压开关

5.薄膜涂层工艺

更多应用请戳

罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于领先地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了极佳的节能效果，并且可以显著缩小最终产品的尺寸。

下面小R给大家介绍下罗姆明星SiC产品，产品阵容包括：

SiC肖特基势垒二极管（SBD）

SiCMOSFET

全SiC功率模块（内置SiC SBD和SiCMOSFET）

高热阻功率模块

罗姆很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容，并且在车载充电器（On Board Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。2020年6月，更是推出了导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代 SiC MOSFET，除现有市场之外，罗姆还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。

未来，罗姆将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容，并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势，继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外，罗姆还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案，帮助客户解决问题。通过从原材料到产品的垂直统合型生产体制，实现高品质与稳定供应。

更多资料：

罗姆官网SiC知识大全

第4代SiC MOSFET小知识

为了帮助大家更好的了解罗姆在SiC领域的突出贡献，小R特意准备了答题福利活动（往下看）无论之前你对它们是否有所了解，一起跟着小R来学习学习吧~

活动概览!!!往下看

活动步骤：小R每天准备2道关于SiC的问题，用户在本帖下方留言回答，每人每天2次回帖答题机会，根据答题的正确程度给予不同奖励。

活动时间：7.16-7.29

评奖规则：

1. 每天参与答题(周末除外)，回答正确即可获得15金币/题， 每人每天最多可获得30金币哦。金币换礼说明

2. 答题正确的数量超过10个（包含10个）的用户，小R将从中随机挑选10名各送出驱蚊手环一个。

3. 连续10天参与答题活动，并且一次性全部答对的用户，小R将从中随机挑选3名送出50元京东券~

Day1  问题:

1. 第4代SiC MOSFET，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约­   ％

A．30%    B.  40%     C. 50%   D.  60%

2. 第4代SiC MOSFET，通过大幅减少寄生电容※4（开关过程中的课题），与以往产品相比，成功地将开关损耗降低了约  ％。

A．30%    B.  40%     C. 50%   D.  60%

Day2:

1.    采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代 SiC MOSFET，该产品已于2020年  月份开始以裸芯片的形式依次提供样品，未来计划以分立封装的形式提供样品。

A．4月    B.  5月    C.  6月   D.  7月

2.    在电动汽车（EV）领域，为延长续航里程，车载电池的容量呈日益增加趋势。与此同时，要求缩短充电时间，并且电池的电压也越来越高（    V）

A．200V    B. 400V    C.  600V  D.  800V

Day 3：

1. 罗姆于   年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产

A．2008年    B. 2009年   C. 2010年  D.  2011年

2. 罗姆通过采用独有结构，于   年全球首家成功实现沟槽结构※2SiC MOSFET的量产

A．2015年    B. 2016年   C. 2017年  D.  2018年

Day 4:

1. 目前，电动汽车用的逆变器主要以   V为主，但随着系统的轻量化和缩短充电时间的需求增加，对提高电压和输出功率的要求越来越高。

A．300V    B. 400 V    C.500 V   D. 600V

2. 以下性质不属于EV专用单元需要的是？

A.可靠性 B.小型化 C.低损耗 D.高驱动

Day 5:

1.    以下不属于周边电路使用的通用产品是

A.电源IC   B.晶体管C.三极管 D.检测电流的分流电阻器

2. 以下不属于SiC元器件的优点是

A.降低传导损耗  B.降低开关损耗 C.高压化 D.低频化

Day 6:

1.    P02SCT3040KR-EVK-001电路板不包括哪一部分？

A.驱动电路  B.控制电源 C.三极管 D.保护电路

2.以下不属于SiC技术应用的是？

A.太阳能和风能的DC/AC转换器中的高效逆变器  B.电动和混合动力汽车的功率转换器

C.工业设备和空调设备的功率逆变器              D.厚膜涂层工艺

Day 7:
1.     以下不属于罗姆的SiC产品阵容的是
A.SiC肖特基势垒二极管（SBD）          B.SiC MOSFET  
C.高耐热性功率模块                     D.DC/DC转换器


2.以下型号不属于罗姆SiC驱动评估板的是
A. P02SCT3040KR-EVK-001              B. BSMGD2G12D24-EVK001
C. BSMGD3G12D24-EVK001              D. BSMGD3C12D24-EVK001

Day 8:
1. ROHM发布的SiC MOSFETSCT3 系列，与传统3引脚封装类型相比开关损耗最大可以减少   %，有助于在各种应用中降低功耗
A．25%    B. 30%   C. 35%   D. 40%


2. ROHM发布的SiC MOSFETSCT3系列，这些MOSFET提供  种版本（650V/1200V）
A.3种    B.4种   C.5种   D. 6种

Day 9:
1.     ROHM发布的SiC MOSFETSCT3系列，其特点是导通电阻比第2代平面型产品小 %
A. 50%    B.60 %  C. 70%   D. 80%


2. SiC有比导通电阻可能随着温度的升高而上升  倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点
A. 2倍    B.3倍  C.4倍   D. 5倍

Day 10:
1. SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。绝缘击穿场强是Si的  倍，带隙是Si的3倍。
A. 7倍    B. 8倍   C. 9倍   D. 10倍

2. 高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上，相同耐压的器件，SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/  .
A.1/200    B. 1/300    C. 1/400    D. 1/500  

点击提示 即可快速获取答案哦（一次回复最多回答两题）

温馨提示：

活动解释权归ROHM社区所有，领奖请联系小R（论坛私信或者联系QQ：1282559705）

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