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碳化硅电力电子器件特点分析与行业前景展望
碳化硅(SiC)电力电子器件作为第三代半导体材料制造的一种宽禁带电力电子器件,在以下方面具有显著特点和发展潜力:耐高温特性:SiC材料可以耐受更高的工作温度,相比传统的硅(Si)材料,SiC能够在更高的温度下正常运行,从而提高了器件的可靠性和稳定性。
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。
一文了解碳化硅(SiC)器件制造工艺
半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代:第一代半导体材料主要是高纯度硅,目前被广泛使用;第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟;第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能,如高禁带宽度、高电导率和高热导率,有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用,本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。
揭秘瞬态抑制二极管:工作原理的简明介绍
今天我要跟大家分享的是:关于瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode, TVS)的使用方法。二极管是最基本的半导体器件之一,广泛应用于各种电子设计中,如整流器、转换器、逆变器、保护电路以及稳压器等。其中,TVS二极管是一种特殊的二极管,在电力电子设计中的瞬态尖峰抑制方面扮演着至关重要的角色。接下来,我们将深入学习瞬态抑制二极管的相关知识。
选择最佳驱动控制芯片方案:电机时代的抉择
在现代科技的推动下,电机已经成为了各行各业中不可或缺的关键设备。然而,电机种类繁多,每种电机都有不同的特性和应用场景,因此如何选择最适合的驱动控制芯片方案成为了一个重要的课题。本文将深入探讨这一话题,帮助读者更好地理解电机驱动控制芯片的选择原则,以及如何根据实际情况进行判断。
LLC电路的魔力之源:MOSFET的应用与创新
在现代电子设备和能源转换系统中,LLC(Inductor-Inductor-Capacitor)电路以其高效、稳定的特性而备受关注。其中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为LLC电路的关键元件,发挥着重要的作用。本文将深入探索MOSFET在LLC电路中的应用与创新,揭示其在电力转换和能源管理领域的魔力之源。
探索新能源产业中功率器件的应用与发展
汽车领域中使用功率器件的广泛应用包括电机驱动、DC-DC变换、充电/逆变以及电空调驱动等。无论是高压器件还是低压器件,在满足需求时都需要使用到IGBT或者MOSFET。除了插电和纯电动汽车,轻混和强混系统也需要这些功率器件。
罗姆发布肖特基二极管白皮书, 助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗!
近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中,中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路,而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中,半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩(图1)。
差分放大器:信号放大的巧妙之道
在电子电路中,差分放大器是一种常见且重要的电路结构,常被应用于信号放大和抑制共模噪声等方面。然而,你是否对差分放大器的原理和工作方式有所了解呢?本文将为您揭开差分放大器的神秘面纱,带您深入了解其原理以及在实际应用中的优势。
有助于各种应用产品的小型化! ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流电阻器“LTR10L” “MCR
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备和消费电子设备等广泛的应用领域,开发出“LTR系列”的长边电极型分流电阻器“LTR10L”,同时,“MCR系列”通用型分流电阻器中的两款机型也已更新为“MCR10L”和“MCR18L”,产品阵容得到进一步强化。
隧道二极管的基本原理和工作方式简介
被称为江琦二极管或Esaki二极管的隧道二极管是根据Leo Esaki而命名的,它利用了隧穿效应的量子力学原理进行操作。1973年,日本科学家江琦凭借对该研究的贡献获得了诺贝尔物理学奖。在电子学中,隧穿指的是电子直接从n型导带通过耗尽区流向p型价带。隧道二极管是一种高度掺杂的p-n结二极管,其电流随着电压的增加而减小。隧道二极管中的电流是由隧道效应引起的。这种二极管被广泛用作计算机中的高速开关设备,并用于高频振荡器和放大器。
常见传感器模块解析:原理、功能与应用介绍
人们为了获取外界信息,需要借助感觉器官。然而,仅凭个人的感觉器官在研究自然现象、规律和进行生产活动时是远远不够的。为了适应这种情况,我们需要传感器,它可以看作是人类五官的延伸,也被称为电子五官。
MOSFET的工作原理介绍
MOSFET全称:金属(metal)- 氧化物(oxide)- 半导体(semiconductor)场效应(field-effect transistor)晶体管,MOS结构毫无疑问是当今微电子技术的核心结构。早在20世纪60年代,Kahng和Atalla首次报道了这种结构,即现在的平面结构器件MOSFET,该结构具有热生长成的SiO2绝缘栅、表面反型沟道,以及衬底掺杂相反的源、漏区。下面将仔细介绍MOSFET的结构和电学特性。
揭秘扭矩传感器的作用、原理与安装过程
扭矩传感器,也称为力矩传感器、扭力传感器、转矩传感器、扭矩仪,可分为动态和静态两类。其中,动态扭矩传感器还可以被称为转矩传感器、转矩转速传感器、非接触扭矩传感器、旋转扭矩传感器等。扭矩传感器用于检测各种旋转或非旋转机械部件上的扭转力矩。它将扭矩的物理变化转换为精确的电信号。扭矩传感器可应用于制造粘度计、电动(气动、液力)扭力扳手等领域,具有精度高、频响快、可靠性好和寿命长等优点。
透视显示驱动器基本原理:揭开屏幕背后的魔法
当今社会,我们离不开各种显示屏幕。从手机到电视,从电脑到汽车仪表盘,显示屏已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。然而,你是否好奇过这些屏幕是如何工作的?在屏幕背后,显示驱动器默默发挥着关键作用。本文将带您深入了解显示驱动器的基本原理,揭开屏幕背后的魔法。
二极管解密:特性与检测,探寻电子世界的通行证
在当今数字化的时代,二极管作为最基本的电子元件之一,扮演着重要的角色。它不仅广泛应用于电路中的整流、开关和保护等功能,还是现代通信、计算机和电力系统等领域的核心组成部分。本文将带您深入了解二极管的特性与检测方法,揭示这个小小元件背后的科技奥秘。
ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片, 无需云服务器、在设备端即可实时预测故障
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款设备端学习*AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC),该产品利用 AI(人工智能)技术,能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障(故障迹象检测),非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点*1。
热敏电阻:特性、应用与未来前景
当我们谈论温度传感器时,热敏电阻往往是一个备受关注的话题。热敏电阻具有独特的特性和广泛的应用领域,使其成为现代科技中不可或缺的一部分。本文将深入探讨热敏电阻的特性、电路应用,并展望其在未来的前景。
ROHM面向微发光应用开发出亮度和色度表现出色的1608尺寸LED 内置适合2mA低电流发光的专用元件,有助于提高指示灯
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向包括PLC*1等控制装置在内的FA设备*2、调制解调器和路由器等通信控制设备的指示灯和数字显示应用,开发出针对微发光应用进行了优化的1608尺寸(1.6mm×0.8mm)LED“CSL1901系列”。
恒流电源设计:稳定电力的妙手舞者
电源是现代电子设备中不可或缺的组成部分。在众多电源类型中,恒流电源因其能够提供稳定的电流输出而受到广泛关注。然而,恒流电源的设计并非易事,需要考虑诸多因素。本文将深入探讨如何搞定恒流电源电路设计,并分享一些创新思路和技巧。
汽车智能化加速落地,罗姆为安全筑起高墙
全球新一轮科技和产业革命正悄悄来临,电动化、网联化、智能化、共享化成为汽车产业的发展潮流和趋势。在汽车新四化的推动之下,汽车电子电气架构从原来的分布式逐渐向跨域集中式和车辆集中式不断演进,汽车电子软件架构不断升级,软件与硬件分层解耦,软件定义汽车的时代即将到来。汽车智能化跑出加速度,中国的新能源车市场向好,ADAS功能搭载率不断攀升,L2正在成为标配,L3开始量产上车。
电机-MOS管驱动电路详解
MOSFET,又称为绝缘栅型场效应晶体管,是一种电压控制电流的器件,广泛应用于开关电路中。其主要特点是栅极(G)具有极高的内阻。MOSFET可分为P型和N型两种类型,而由于P型场效应晶体管的跨导较小且阈值电压较高等原因,逐渐被N型MOSFET所取代。
运算放大器(OPA)的原理与应用:超详细讲解
运算放大器(简称"运放")是一种具有高放大倍数的电路单元。它是一种包含多级放大电路的集成电路,其中包括输入级、中间级、输出级和偏置电路。
ROHM面向高端ADAS开发出业界超稳定运行的DC-DC转换器IC“BD9S402MUF-C” 采用QuiCur™技术
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向包括车载传感器和摄像头等在内的ADAS(高级驾驶辅助系统)、信息娱乐系统等日益复杂的车载应用,开发出一款降压型DC-DC转换器IC*1“BD9S402MUF-C”。
语音合成技术原理解析与应用探讨
语音合成技术主要由语言分析部分和声学系统部分组成,也被称为前端和后端部分。语言分析部分根据输入的文本信息进行分析,生成相应的语言规范书,确定如何发音;声学系统部分根据语音分析部分提供的语言规范书,生成相应的音频,实现发声功能。
比较与对比:MLC、TLC和SLC三种存储技术的区别
X3 (3-bit-per-cell) 架构的 TLC 芯片技术是 MLC 和 TLC 技术的延伸。最初的 NAND Flash 技术采用 SLC (Single-Level Cell) 架构,其原理是在一个存储单元 (cell) 中存放一个比特 (bit) 的数据。随后出现了 MLC (Multi-Level Cell) 技术,使得一个存储单元可以存放两个比特。
ROHM开发出使用纳法级超小电容也能稳定运行的内置新电路的车载LDO稳压器“BD9xxN1系列” Nano Cap™ 技
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC “BD9xxN1(BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、 BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C)”。
ROHM开发出可简化视频传输路径的、用于车载多屏显示器的串行/解串器“BU18xx82-M” 支持全高清(Full HD
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向多屏化趋势下的车载显示器领域,开发出支持全高清分辨率(1,980×1,080像素)的SerDes IC*1(串行器:BU18TL82-M,解串器:BU18RL82-M)。
ROHM开发出高精度、超低功耗且支持40V电压的窗口型复位IC* “BD48HW0G-C” 为需要功能安全的车载和工业设
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用(包括车辆引擎控制单元和FA设备),开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC*1(电压检测器)“BD48HW0G-C”。
SiC-MOSFET体二极管的特性分析
如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
高速、高压运算放大器(运放):探索电子世界的超凡引擎
工程师常常面对各种挑战,需要不断开发新应用,以满足广泛的需求。一般来说,这些需求很难同时满足。例如一款高速、高压运算放大器(运放),同时还具有高输出功率,以及同样出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。
运算放大器的输入失调电压:影响信号处理的关键之道
在电子电路设计中,运算放大器作为一种重要的集成电路元件,广泛应用于信号处理、自动控制和模拟计算等领域。然而,你是否曾经想过为什么运算放大器的输入失调电压如此重要?本文将带您深入探究运算放大器输入失调电压的意义和影响,解开其中的奥秘。
赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作
赛米控(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经开展了十多年的合作。
闪存技术解密:从构成到工作原理全面剖析
在我们日常使用的电子设备中,闪存是一种重要的存储介质。了解闪存的组成和工作原理,可以让我们更好地理解它的“出生”,以及为什么它在存储领域如此重要。本文将从闪存的构成和工作原理入手,对其进行全面剖析。
ROHM开发出符合功能安全标准“ISO 26262”的、用于下一代车载摄像头模块的电源管理IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向在ADAS(高级驾驶辅助系统)等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块(以下简称“车载摄像头”),开发出符合ISO 26262*1及其ASIL-B*1标准的PMIC*2 BD868xxMUF-C(BD868C0MUF-C、BD868D0MUF-C)。
ROHM开发出使用纳法级超小电容车载LDO稳压器“BD9xxN1系列”
Nano Cap 技术为解决电容问题开拓了小型化和稳定化新领域 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列(BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C)”。
LED数码显示器的结构和工作原理
LED数码显示器的结构由发光二极管显示字段组成,在单片机应用系统中通常使用七段LED数码管,由共阴极和共阳极两种。七段LED显示器中有八个发光二极管,其中从a-g管脚输入7位显示代码,可显示不同的数字或字符,Dp的构成小数点。共阴极LED显示器的公共端为发光二极管阴极,通常接地。共阳极的LED显示器的公共端为阳极通常接+5V电源。
常用存储器(SRAM、DRAM、PSRAM)简单介绍
数据易失性存储器:如动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)。这些存储器具有较快的读写速度,但在断电后会导致数据丢失。在SoC设计中,通常用作数据缓存和程序缓存。
IGBT基本工作原理及其在电力电子中的应用探讨
IGBT的控制极为栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)。如示意图所示,IGBT的开关功能通过施加正向栅极电压来形成沟道,为PNP晶体管提供基极电流以使其导通。相反地,施加反向门极电压可消除沟道,切断基极电流,从而使IGBT关断。如示意图2所示,如果在IGBT的栅极和发射极之间施加驱动正电压,则MOSFET导通,使得PNP晶体管的集电极与基极之间处于低阻状态,从而使晶体管导通;如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管的基极电流供给,使晶体管截止。