SIC(ICSCRM 2019)24年来首次在京都举行国际会议

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        国际碳化硅及相关材料会议于2019年9月9日(星期日)至10月4日(星期日)在日本京都国际会议中心举行。

        ICSCRM为来自世界各地的研究人员提供了一个跨学科的平台,以展示他们在与SiC和其他宽禁带半导体(WBG)相关的所有领域的最新发现。来自京都大学的荣誉退休松下教授是碳化硅发电设备方面的一位领先专家,他领导了这一享有盛誉的会议,该会议于1987年在华盛顿特区首次召开。此后,ICSCRM每两年在日本、美国和欧洲举行一次。24年后,会议终于回到了京都,聚集了1200多名碳化硅专家、经验丰富的工程师和来自世界各地的年轻学生。

ICSCRM 2019 Venue and ROHM Booth
ICSCRM 2019地点和ROHM展位

        Rohm作为钻石赞助商参加了这次活动,介绍了驱动电路技术,最大限度地提高了SiCMOSFET的开关能力。一般情况下,SiC等功率半导体具有导通损耗和开关损耗,但降低开关损耗尤其是减小开关损耗引起了人们越来越多的关注。

       通常,传统的驱动电路不能最大限度地提高SiC MOSFET的高速开关特性.相反,ROHM在会议上提出的一种新的驱动电路(口头介绍)增加了一个电容器,进一步提高了开关速度,使整个驱动电路的开关损耗减少了25%或更多。这项技术有望应用于太阳能系统的动力调节器中。

 

       在海报会话中,ROHM提出了一种分析SiC器件特性的新建模方法。然而,尽管SiC技术正在得到广泛的应用,但工程师们仍面临着开发能够最大限度地提高器件特性和实现高效率、高频率驱动的电路设计的困难。幸运的是,电路设计仿真工具已经证明在解决这些问题方面是有用的。Rohm在会议上宣布的新的SiCMOSFET器件建模方法能够获得非常接近实际测量值的开关特性(电路设计所必需的),从而实现高精度的电路模拟。

 

       此外,ROHM还在10月1日(星期二)为参加2019年ICSCRM的人举办了一次讲座和欢迎聚会。在讲座上,ROHM研究开发中心的Nakahara博士欢迎来宾,而电源设备生产总部总经理Ino博士则介绍了ROHM的SiC电源设备的最新更新。此外,松城忠雄教授还做了一个专题讲座,讨论了碳化硅的历史和未来前景,从京都大学的基础研究到最近在各种应用中的收养案例。

 

       随后,在另一个地点举行了欢迎晚会,LSI发展总部主任兼总经理Tateishi先生和京都大学Kimoto教授向与会者表示欢迎。参与者进行了令人兴奋的谈话,使之成为一项活跃的活动。

ROHM-Sponsored Events
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