时刻保持前进-罗姆和汽车产业的革命
虽说近年来汽车产业的发展让人吃惊，可这也绝非是什么新鲜事。汽车自被发明以来，一直本着安全性、舒适性及环保性的原则开发至今。从10多年前开始，罗姆就一直向日益发展的汽车领域提供产品。
发祥于日本京都的罗姆，是日本第一家进入美国加利福尼亚州硅谷的半导体制造企业。如今，公司已经成功进军包括美国在内的四大洲共22个国家。其高性能的IC和功率元器件是汽车产业电子化发展进程中不可或缺的存在。
此次，我们采访了罗姆车载战略部车身&动力传动系统的课长坂井善治先生，请他谈谈迄今为止公司的努力以及未来将如何应对市场变化。
“截至2017年3月31日，车载部门占到罗姆净销售额的31％。车载产品的销售额占比中，58％为车载信息娱乐系统，20％为动力传动系统，14%为车身系统，3%为ADAS，剩余的5％为其他。我们预测今后环保型车辆（xEV）、高级驾驶辅助系统（ADAS）相关产品的销售额将会增加。”
在制造的品质管理部门工作了10年的坂井先生认为，罗姆以其高品质及技术创新一定会在汽车领域取得成功。
为保证汽车行业所要求的优异的品质和稳定的产品供应，罗姆的特色之一--垂直统合型生产体制是重要基石。从硅锭拉制、光掩模制造、晶圆加工、引线框架成型到封装，所有的制造阶段都完全在公司内部完成生产。“有的企业测试工序和封装工序可能会选择外包，但我们公司从可追溯性的角度考虑，不实施外包。我们的垂直统合型生产体制，是用来制造车载元器件的最佳生产系统，同时也能灵活而准确地响应客户的需求。” （坂井先生）
另外，身为半导体制造商，却非常看重与汽车制造商的直接沟通，这也是坂井先生在罗姆的职业生涯中学到的非常重要的一课。坂井先生表示，以SiC元器件的超强竞争力为契机，最近与汽车制造商直接进行交流的机会越来越多，并借此机会来宣传公司强大的产品力。与汽车制造商的交流没有仅仅局限在日本国内。对罗姆而言，全球性战略是其DNA的一部分。这是因为公司截至2017年3月31日，74％的员工都在海外办事处或海外基地工作。坂井先生也在韩国的设计中心有过四年的工作经验，他说这对应对日益全球化的汽车行业来说，是非常宝贵的经历。
在汽车行业，“减少对环境的影响”被定位为优先事项之一。在从汽油车到混合动力车以及到电动车的进程中，电子元器件发挥着越来越重要的作用。从广义上看，毫无疑问，半导体电子元器件的发展是降低功耗所不可或缺的功臣。
其中，罗姆制造的碳化硅功率元器件（SiC）是非常有特色的产品。SiC是硅和碳元素相结合的新型创新材料。它具有低导通电阻和在高温度环境下工作的优异特性，是作为关键的节能元器件而备受期待的产品。在电动汽车中，不仅是车载充电器的福音，也是高效DC/DC转换器和逆变器的理想选择。2016年10月，罗姆成为被称为“电动车界的F1”的国际汽联电动方程式比赛（Formula E）的赛车队伍-文图里车队的官方技术合作伙伴。在这里，罗姆的SiC功率器件被用于逆变器单元中，通过减少功率转换损耗，实现了散热系统的小型轻量化，成功使逆变器减重约30％。采用了这种最尖端技术的国际汽联电动方程式比赛提高了人们对电动汽车的兴趣，促进了汽车产业的进一步发展。
此外，罗姆的产品不仅注重环保，还很关注安全方面。最近，人们对ADAS的关注度也越来越高，坂井先生认为，尽管存在着各种各样的挑战，不过科幻片中的自动驾驶车驶入现实将指日可待。
“踩错油门和刹车导致的交通事故还在增加，这些让我感受到在全球范围内针对预防事故的需求仍然很大。对于汽车所追求的‘安全，环保，舒适’，我相信产品的进步才是实现这一目标的方法。”（坂井先生）
罗姆的高分辨率显示器用车载芯片组，满足了ADAS市场的需求。近年来，组合仪表（仪表盘）、汽车导航系统及电子视镜等越来越多地采用液晶面板，随着用途的扩大，对面板大型化、高精密化的需求也日益高涨。罗姆开发的芯片组，是全球首创的仅芯片即可实现功能安全的液晶面板用芯片组。即使万一发生因电子系统故障等引发的问题，驾驶员也能立即识别异常，这非常有助于实现汽车的安心与安全。
罗姆在其领先技术的开创与制造方面，一直不断开发出业界首创的产品。为给客户提供更好的解决方案，可以说，拥有丰富的产品阵容也是罗姆的优势之一。要想引领急速发展的汽车市场，通过技术创新来持续满足社会的需求变得十分重要。
另外，坂井先生和他的团队预测，无线充电技术不仅可用在轮毂电机上，未来汽车与道路间或汽车与汽车间通信的需求将会到来。利用无线通信技术，汽车甚至能够确认道路和桥梁的状况、交通情况、以及其他汽车的位置。
坂井先生表示，“汽车将以安全、环保、舒适为关键词迎来巨大变化。我个人的梦想是，通过制定及时迅速捕捉这些变化的产品规划，为汽车产业的发展贡献力量”。相信在急速发展的汽车行业，激情四溢、立足未来的罗姆员工，将会把罗姆推向一个新的高峰。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
