日本罗姆公司面向赛车领域推进全碳化硅模块布局
早在Formula E上一赛季，日本罗姆半导体公司（ROHM semiconductor）就已经与法国Venturi车队达成合作协议，面向赛事车辆提供整合碳化硅器件的功率模块。日前，由ROHM提供的全碳化硅逆变器在保持性能不变的前提下已经实现了体积减小43%，重量降低6公斤的大幅度提升。
背景
去年4月，日本罗姆半导体公司就已经在PCIM 2016大会中推出了第三代650V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）以及1200V/180A全碳化硅功率模块。相比第一代产品，第三代模块基于最新的UMOS结构其整体开关损失降低了77%。
而作为法国Venturi车队的技术合作方，在第三赛季时，罗姆向其提供了更加轻便（相比上一代降低2公斤重量）、更加高效（电子转换效率提升1.7%）的第二代碳化硅逆变器，其整合了SiC SBD器件。
最新进展
相比上一代的微小提升，这次的变化更为明显。整体采用了SiC MOSFET和SiC SBD的双SiC设计，使得体积进一步缩小30%，重量控制在了9公斤，直接减轻了4公斤。
全碳化硅模块
时任罗姆功率器件产品部门经理的 Kazuhide Ino先生认为半导体器件是混合以及电动汽车的关键技术，最新一代全碳化硅模块整合了SiC SBD和SiC MOSFET，这种技术能够大幅的提升车辆性能。同时针对车辆重新设计了逆变器的结构，改善了散热性能。对于传统的硅材料IGBT器件，在150度的工作环境下，同时还能大幅降低开关损耗。
我们知道，车用功率模块(当前的主流是IGBT)决定了车用电驱动系统的关键性能，同时占电机逆变器成本的40%以上，是核心部件。
SiC SBD和 MOS是目前最为常见的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些领域和 IGBT争抢份额。我们都知道，IGBT 结合了 MOS 和 BJT 的优点，第三代宽禁带半导体SiC 材料又具有优于传统 Si 的特性，那么为什么见得最多的却是 SiC MOS，SiC IGBT 在哪儿呢？
热敏打印头打印方式有两种：热转印和热敏方式。热转印中增加了一条墨带，工作时墨带和转印纸同时转动，将施加到墨带上的油墨通过加热转移到纸上，具有优异的耐水性、耐化学性并可以在普通纸上打印，但难以安装纸张、胶带，结构复杂成本也较高。热敏则是直接使用了热敏纸，无需碳粉、墨带、油墨，纸张易安装，缺点是受温度、划痕影响成像效果。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。
ROHM于2020年1月15日(星期二)至17日(星期五)在东京举行的第12届国际汽车电子技术博览会上展出。这一次,在“汽车创造未来”的主题,介绍罗姆半导体解决方案,支持在不远的将来,将流动的社会,从最新的模拟集成电路,减少车辆系统的负荷发展支持ADAS的产品和自动驾驶以及碳化硅电力设备导致xEV的进化。
