MOS管和IGBT管有什么区别?

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在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?
 
 
 
下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧!
 
什么是MOS管?
 
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。
 
MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。
 
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
 
▲ MOSFET种类与电路符号
 
有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。
 
关于寄生二极管的作用,有两种解释:
1、MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
 
2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。
 
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。
 
什么是IGBT?
 
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
 
IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极广泛的应用。
 
 
 
IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
 
同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管都是存在的。
 
 
 
IGBT内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。
 
判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难,可以用万用表测量IGBT的C极和E极,如果IGBT是好的,C、E两极测得电阻值无穷大,则说明IGBT没有体二极管。
 
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
 
MOS管和IGBT的结构特点
 
MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
 
 
 
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
 
IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
 
 
 
另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。
 
选择MOS管还是IGBT?
 
在电路中,选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管,这是工程师常遇到的问题,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑,可以总结出以下几点:
 
 
 
也可从下图看出两者使用的条件,阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用,“?”表示当前工艺还无法达到的水平。
 
 
 
 
总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
 
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管都是存在的。

MOS管和IGBT管的定义与辨别

MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很,有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!

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