二极管伏安特性曲线图解

一、正向特性

曲线的右侧表示二极管的正向特性。从图中可以看出，当施加在二极管上的正向电压较小时，正向电流非常小，几乎为零。只有当二极管两端的电压超过某个值Uon时，正向电流才显著增大。这个电压被称为死区电压，它与二极管的材料有关。通常硅二极管的死区电压约为0.5V左右，而锗二极管的死区电压约为0.1V左右。当正向电压超过死区电压后，随着电压的增加，正向电流将迅速增大，形成基本上呈指数曲线的电流与电压关系。从正向特性曲线可以看出，二极管的电流变化很大，但二极管两端的电压基本保持不变。在近似分析计算中，我们将这个电压称为开启电压，它也与二极管的材料有关。一般来说，硅二极管的开启电压约为0.7V左右，而锗二极管的开启电压约为0.2V左右。

 

二、反向特性

曲线的左侧表示二极管的反向特性。从图中可以看出，当施加在二极管上的反向电压时，反向电流非常小，并且不随着反向电压的增加而增大，即达到了饱和状态。这个电流被称为反向饱和电流，用符号IS表示。如果继续增加反向电压，当超过UBR时，反向电流急剧增大，这种现象被称为击穿，UBR被称为反向击穿电压。

 

击穿后的二极管不再具有单向导电性。需要指出的是，发生击穿并不意味着二极管损坏。事实上，一旦发生击穿后，只要控制反向电流的数值，避免过大，就可以防止二极管因过热而损坏。当反向电压降低后，二极管的性能可能恢复正常。

 

三、温度对二极管伏安特性的影响

温度升高会导致曲线的左移，即正向特性向左偏移，反向特性下移。在室温附近，每升高1℃，正向压降减少2-2.5mV；而在室温附近，每升高10℃，反向电流增大一倍。二极管的温度特性如图3所示。