揭秘罗姆(ROHM)发展史

分享到:

成立于1958年的ROHM,是一家以电阻器业务起家的公司,ROHM的名字也来源于电阻器(Resistor)和欧姆(ohm)。如今,在全球广为应用的通用型矩形贴片固定电阻和贴片排阻便来自于ROHM的首创。截至2016年3月31日,ROHM的年销售额达到352,397百万日元,旗下拥有12家本土公司以及34家海外公司。

坚持“一条龙”生产,让小型化生根发芽
ROHM一直引以为傲的是其称为“垂直统合型”的一条龙生产体制。具体来说,就是从IC芯片设计布线到光掩膜制造全部自主完成,甚至包括自主开发生产系统。这种体制的好处在于,ROHM可以在从开发、制造到销售的各个环节中,全面保证产品的品质及完整的可追溯性。同时,可以对客户承诺长期稳定的供货,并满足客户从晶圆到封装的各种定制化需求。

1

ROHM的“垂直统合型”一条龙生产体制

ROHM半导体(深圳)有限公司分立器件部高级经理水原德健表示,“随着全球企业的快速化发展,能够坚持一条龙生产体制的企业已经越来越少,但ROHM坚信其具有更长远的价值。”

2

ROHM半导体(深圳)有限公司 分立器件部 高级经理 水原德健

ROHM分享了这样一些市场变化:移动领域的小型贴片电阻器在近两年出现了明显的增长。以01005尺寸为例,它的出货量市场占比在短短一年之间就从19%增长到了25%。同时,汽车领域也在2015年开始出现了小型化产品(0201尺寸)的需求。虽然,全球汽车的生产数量在今年间的增长并不强劲,但其中新能源汽车的比例却在显著增长,而无论具体是哪一种新能源动力方式,更高的电子零部件需求是它们的共通性。这就导致了电阻器市场的需求开始变化,即电池/电机电路相关的电流检测用低阻值电阻的需求不断增长。

值得一提的是,2016年可谓转折的一年。0201和01005尺寸的贴片电阻器在2016年的出货量开始分别超越0603和0805尺寸,其中以0201尺寸的增长最为明显。这更加显示了小型化贴片电阻器的旺盛需求。

3

贴片电阻器的尺寸发展趋势

将抗硫化进行到底
近年来,在车载和工业设备等领域,为了提高应用的长期可靠性及安全性,对抗硫化性能的要求越来越高。

水原德健解释说,所谓硫化就是空气中的含硫成分与电阻中的Ag发生化学反应的现象。而通常电阻中会使用银,空气中又含有汽车排放的废气、含硫气体等以各种形态存在的含硫成分。如此一来,长期接触含硫成分后,含硫成分会附着在金属表面并逐渐引起硫化。最终,电极部分的硫化会引起电阻值的变化,从而导致应用故障。

4

贴片硫化前后对比

5

硫化机理

为了应对这一严苛的环境,ROHM日前正式发布了新型抗硫化贴片电阻器“SFR系列”产品,旨在帮助车载、工业设备以及通讯基础设施等易硫化的严苛环境下提高应用的长期可靠性。

我们知道,银容易被氧化,在硫化环境下使用时应用的长期可靠性存在问题。为此,SFR系列产品在电极部分采用ROHM独有的结构和保护材料,成功地大幅提高了抗硫化性能,寿命可从以往抗硫化产品的750小时提高到3000小时以上,非常有助于提高车载以及工业设备等在硫化环境中使用的应用的长期可靠性及安全性。

6

“SFR系列”的抗硫化特性(断线率)

水原德健表示,未来ROHM将在贴片电阻器领域继续完善具有更高抗硫化性能的产品阵容,为提高各种应用的长期可靠性和安全性作出贡献。

对于只占7%营业额的无源器件来说,可能有人会好奇ROHM为何对其如此坚持。水原德健回答说,ROHM作为从无源器件起家的企业,拥有非常多的专利技术和市场经验,虽然在通用电阻器市场中的确感到了越来越激烈的竞争,但相信ROHM可以凭借在独特电阻领域的技术优势以及一条龙的生产体制,坚守住ROHM的电阻器事业,并紧握潜在的市场机遇。

目前,SFR系列产品已于2015年开始批量生产,并拥有4种尺寸选择。

相关资讯
碳化硅(SiC)肖特基二极管零反向恢复特性与CRM升压变换器效率验证

碳化硅(SiC)肖特基二极管凭借零反向恢复特性,可消除临界导通模式(CRM)升压变换器的高频换流损耗。测试表明,该方案使整机效率稳定突破99%,逼近拓扑理论极限。CRM升压变换器广泛应用于新能源功率因数校正(PFC)、光伏直流升压等场景。其软开关特性可有效降低硬开关拓扑的器件损耗。但传统硅基快恢复二极管存在固有反向恢复效应。 硅基二极管在高频换流中会产生明显的反向恢复损耗与关断震荡。这成为制约CRM变换器效率突破的核心瓶颈。硅基器件的载流子存储效应无法消除,存在不可逾越的效率上限。相比之

LDO静态电流与瞬态纹波优化:超低功耗IoT节点电源策略

超低功耗物联网(IoT)节点电源设计的核心,在于平衡低压差线性稳压器(LDO)静态电流与负载瞬态输出电压纹波。本文剖析二者制衡机理,提出动态偏置选型、复合滤波与工况自适应调控策略,实现微安级待机与瞬态低纹波优化。

IGBT-IPM寄生电感干扰伺服驱动死区自适应及过温降额协同设计

IGBT智能功率模块(Intelligent Power Module, IPM)内部寄生电感会引发高频开关时序偏移与动态温升偏差,导致伺服驱动死区时间自适应补偿失准。构建死区精准补偿与动态过温降额协同设计方案,可有效解决控制精度与热稳定性的制衡矛盾。高精度伺服驱动系统依托矢量控制、高频脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation, PWM)与死区时间自适应补偿技术,实现电机转矩精准输出与转速平稳调控。

软恢复快速恢复二极管抑制图腾柱PFC电路CM/DM噪声路径解析

软恢复型器件通过优化芯片少子寿命分布与PN结结构,平缓关断瞬态突变过程,削弱高频扰动生成强度。本文解析图腾柱PFC电路CM/DM噪声的生成机理,对比软硬恢复二极管的瞬态开关特性,阐明软恢复特性对两类噪声的分层抑制路径与底层物理机制。

开关二极管反向恢复频谱对高速时钟分配网络干扰建模

开关二极管(Switching Diode)的少子寿命(Minority Carrier Lifetime)直接决定其反向恢复波形与高频频谱特征,进而通过寄生耦合引发高速时钟分配网络(High-Speed Clock Distribution Network)的时序抖动与相位偏移。本文建立从半导体物理机理到频谱干扰的系统模型,为高速时序系统的低干扰设计提供理论支撑。

精彩活动