MOS基础解析,罗姆的PrestoMOS是个怎样的存在?

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在设计驱动电路,或者电源时,难免会用到MOS管,MOS管有很多种类,也有很多作用,下面我们来看看MOS管究竟有哪些类型,罗姆又有哪些相关的产品呢?
 
MOS管大致分两种,增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD;耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。
 
1、结构和符号(以N沟道增强型为例)
 
在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
 
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其他MOS管符号
 
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2、工作原理(以N沟道增强型为例)
 
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(1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。
  
VGS =0, ID =0
  
VGS必须大于0,管子才能工作。
 
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(2) VGS>0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。
  
VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道
  
VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑
 
(3) VGS≥VT时而VDS较小时:
  
VDS↑→ID ↑
 
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VT:开启电压,在VDS作
  
用下开始导电时的VGS°
  
VT = VGS —VDS
 
 
(4) VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。
  
VDS↑→ID 不变
  
 
3、特性曲线(以N沟道增强型为例)
  
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场效应管的转移特性曲线
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4、其它类型MOS管
  
(1)N沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子,所以即使在VGS=0时,由于正离子的作用,两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
 
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(2)P沟道增强型:VGS = 0时,ID = 0开启电压小于零,所以只有当VGS < 0时管子才能工作。
 
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(3)P沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0 时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
 
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5、场效应管的主要参数
  
(1) 开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
  
(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
  
(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
  
(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。
  
(5) 低频跨导 gm :表示VGS对iD的控制作用。
 
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在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。
  
(6) 最大漏极电流 IDM
  
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
  
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS
 
罗姆的PrestoMOS系列
 
罗姆的PrestoMOS主要用作开关,具有两个很需要节能化的特性:第一是高速开关,也就是在ON/OFF的时候需要很快的切换;第二是在ON的时候导通电流要更小,这样使它在ON的时候更节能。在看体二极管,如果使体二极管的trr速度更快,使反向损耗会更少。PrestoMOS的第一代产品改变了trr的速度,使trr的速度更快。PrestoMOS的第二代产品保持以往高速trr性能的基础上,进一步降低导通电阻并提高开关速度。
 
这样一来,MOS管的功耗得到了进一步的降低,在相应的应用中,也能更好地节能,PrestoMOS第二代产品“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势,还实现了超强的短路耐受能力,减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险,有助于提高应用的可靠性。
 
 
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