探究开关电源同步整流技术的详细原理和应用

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同步整流是一种创新技术,它利用具有极低通态电阻的专用功率MOSFET来替代传统的整流二极管,从而降低整流损耗。这项技术能够极大地提高DC/DC变换器的效率,并且消除了由肖特基势垒电压引起的死区电压问题。虽然变流器的主开关管通常也采用功率MOS管,但两者之间仍存在一些区别。
 
传统的二极管整流方法在面临以下问题:
 
随着电子技术的发展,电路的工作电压越来越低,电流越来越大。虽然低电压工作有助于降低整体功耗,但同时也给电源设计带来了新的挑战。
 
开关电源的损耗主要包括三个部分:功率开关管的损耗、高频变压器的损耗以及输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降比较高,导致输出端整流管的损耗显著增加。即使使用快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD),其导通压降仍可达到1.0~1.2V,而采用低压降的肖特基二极管(SBD)也会产生约0.6V的压降。这些高压降导致整流损耗增加,从而降低了电源的效率。
 
举个例子来说明问题,假设使用3.3V甚至更低的供电电压,并且消耗的电流达到20A。这种情况下,超快恢复二极管的整流损耗已经接近或超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会占据(18%~40%)电源输出功率,超过了总体损耗的60%以上。因此,传统的二极管整流电路无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率和小体积的需求,成为限制DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
 
同步整流技术介绍
 
在电源转换领域中,隔离式转换器通常采用MOSFET作为整流器件,特别是在输出直流电压较低的情况下。这些器件具有较小的导通损耗,能够提高效率,因此被广泛应用。为了确保电路正常工作,对同步整流器(SR)进行控制是基本要求。同步整流器用于替代二极管,因此必须选择适当的方法来驱动同步整流器,以满足二极管的工作原理。驱动信号必须使用PWM控制信号来形成,而PWM控制信号决定着开关型电路的不同状态。
 
同步整流器件的特点
 
同步整流技术采用具有低导通电阻的功率MOS管来代替开关变换器中的快恢复二极管,以实现整流功能并降低整流损耗,从而提高效率。通常情况下,变换器的主开关管也采用功率MOS管,但是两者之间仍然存在一些差异。
 
功率MOS管实际上是一种双向导电器件,其工作原理的不同导致了其他方面的差异。例如,用作主开关的MOS管通常需要实现硬开关,因此需要快速切换速度以减小开关损耗;而用于同步整流/续流的MOS管则需要具有低导通电阻、小体二极管反向恢复电荷、小栅极电阻和良好的开关特性等特点。因此,尽管两者都是MOS管,但它们的工作特性和损耗机理并不相同,对其性能参数的要求也有所不同。了解这一点对于正确选择MOS管是有益的。
 
同步整流的基本电路结构
 
同步整流技术采用具有极低导通电阻的专用功率MOSFET来替代整流二极管,以降低整流损耗。它能够显著提高DC/DC变换器的效率,并且消除由肖特基势垒电压引起的死区电压问题。功率MOSFET属于电压控制型器件,在导通时的伏安特性呈线性关系。在使用功率MOSFET作为整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能实现整流功能,因此称之为同步整流。
 
工作方式的比较
 
传统的同步整流方案通常采用PWM型同步整流,主开关和同步整流开关之间必须设置一定的死区时间,以避免交叉导通。因此,同步整流MOS管存在体二极管导通和反向恢复等问题,从而降低了同步整流电路的性能。

 

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同步整流是一种创新技术,它利用具有极低通态电阻的专用功率MOSFET来替代传统的整流二极管,从而降低整流损耗。这项技术能够极大地提高DC/DC变换器的效率,并且消除了由肖特基势垒电压引起的死区电压问题。虽然变流器的主开关管通常也采用功率MOS管,但两者之间仍存在一些区别。