Rohm公司最新研发了一款1200V/300A的全碳化硅功率模块

分享到:

Rohm公司最新研发了一款1200V/300A的全碳化硅功率模块
  
可应用于太阳能功率调节器和相关工业设备中的逆变器和转换器。适用于高功率应用,相较传统的IGBT模块,新产品的开关损耗降低了77%,可应用在高频率条件下,并可使得冷却设备和外围部件尺寸减小。将碳化硅SBD和碳化硅MOSFET集成于单一封装内,可使最终产品尺寸和标准IGBT相当。最大Tj为175摄氏度。
 
1
 
TMS公司发布宽带0.1-6.0GHz氮化镓放大器
  
更小的尺寸系数阈值提升了对氮化镓放大器尺寸、重量和功率的要求,同时还要满足最为严苛的商业和军方应用中对航空航天类产品的要求。产品(包含连接器)的尺寸为:2.5 in x 2 in x 0.42 in。在85摄氏度条件下,测量得到平均无故障时间为40000小时。输出功率范围在15~40 watts。单个放大器包括前置放大器和驱动级,可实现总增益最小值为50dB。
 
2
 
通用电气公司将在功率产品中逐步采用碳化硅器件代替硅器件 总增益最小值为50dB
  
有望实现功率转换器中的损耗减半,同时提升功率密度约50%。据此,风力应用和太阳能应用中的电力成本将持续降低,幅度可达4%。
 
3
氮化镓功率器件IP动态(知识产权)预示未来市场的上升趋势
  
Yole公司认为,对于想进军氮化镓功率技术市场的公司而言,具备强有力的知识产权地位对于提高收益是必须的。了解知识产权环境非常重要,可以预期市场变化,发现商机,避免风险,作出战略决策以强化市场地位,使知识产权收益最大化。目前,International Rectifier在氮化镓功率器件方面有最好的专利布局,IR/Infineon有最强大的专利,将可能引领氮化镓功率未来市场。Transphor是最重要的专利竞争者,它的专利布局以及它与Furukawa,Fujitsu, On Semiconductor的合作关系将使其在氮化镓市场上占据领导地位。
 
4
 
Plextek RFI公司发布针对塑封表贴X波段氮化镓功率放大器的新设计
  
新设计针对0.25µm氮化镓晶体管(型号TGF2977-SM,由Qorvo公司生产)贴装于Rogers 4003印制电路板上的应用。在印制电路板上同时设计有高速漏极开关电路,实现脉冲模式工作,开启时间仅为20ns。经过优化后,该放大器能在9.3-9.5GHz频率波段中运行,小信号增益为11dB,在3dB增益压缩点处可实现37dBm的输出功率,相应的漏极效率优于55%。
继续阅读
碳化硅比热容:技术现状与未来发展方向探析

碳化硅(SiC)的比热容是其关键物理性质,随温度变化而展现独特优势,尤其在高温应用中。当前,通过实验测定和理论计算,科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究,揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。

探索碳化硅比热容:材料性能与温度变化的奥秘

碳化硅(SiC)的比热容是其关键热学性质,随温度升高而增大,展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性,可优化SiC的热性能。

储能逆变器:挑战应对与性能优化之道

储能逆变器充电电路的设计需平衡充电速度与电池保护,同时面临效率、可靠性和稳定性等挑战。为提升性能,需优化电路设计、引入先进控制算法、提升功率密度和散热性能,以及进行智能化改造。此外,关注新技术应用也是关键。综合优化这些方面,可推动电源管理系统更高效、可靠地发展。

储能逆变器技术革新技术大揭密!

储能逆变器充电电路的未来发展趋势将聚焦高效性、智能化、小型化与集成化,并强调更高的安全性和可靠性。随着能源需求增长和能源结构转型,提高能量转换效率、减少损耗成为关键。智能化发展通过引入先进控制算法和感知技术,实现电池状态实时监测和精准控制,延长电池寿命。同时,小型化和集成化将适应更多应用场景。

SiC仿真:塑造电力电子未来发展趋势

SiC仿真工具作为SiC功率器件研发的关键支持,其未来发展方向多元化且与应用领域紧密相关。未来,SiC仿真工具将注重提高精度和效率,更新丰富模型库以适应新型器件结构,与其他设计工具、测试平台集成实现研发闭环,应用智能化技术提升自动化和智能优化水平。