ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。
<新产品特点>
●损耗比以往IGBT产品低67%,为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比
“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管(Si-FRD)的IGBT产品相比,成功地大幅降低了开通损耗,在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67%。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比,损耗也可降低24%。在转换效率方面,新产品可以在更宽的工作频率范围确保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作频率下,效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。
●符合AEC-Q101标准,可在恶劣环境下使用
新系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”,即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。
<Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容>
※除了本系列Hybrid IGBT外,产品阵容中还包括使用Si-FRD作为续流二极管的产品和无续流二极管的产品。 如欲了解更多信息,请访问:
https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw
BMS中的低边驱动原理主要控制电池负极端的通断,通过功率MOSFET和相关控制电路确保电池充放电过程的安全与高效。其设计简单、成本低廉,但通信时需隔离措施。未来,低边驱动将更智能化、集成化,注重安全性与能效优化,同时模块化、标准化也将成为发展趋势,以适应BMS市场的不断扩大和多样化需求。
随着电动汽车和储能系统的快速发展,BMS中高边驱动的性能要求日益提升。未来,高边驱动将朝更高精度、更稳定及智能化的方向发展,通过集成先进传感器和算法实现精细充放电控制,并与其他系统协同工作提升整体效率与安全性。新材料和新工艺的应用将推动高边驱动技术创新,提高效率和可靠性。安全性和可靠性始终是核心,需加强安全防护和可靠性设计。
BMS作为电池管理的重要部分,高边驱动是其关键组件,通过控制电池正极开关实现充放电过程的精确控制。高边驱动需应对电池复杂特性、高电压大电流挑战,并解决散热和电磁干扰问题。同时,高边驱动设计需考虑电池包与ECU共地问题,确保通信正常。高边驱动的性能直接影响电池系统整体运行效果,需不断优化设计以满足电池管理需求。
反馈光耦通过光电转换实现电路的稳定可靠反馈控制,在电机控制、开关电源、通信和计算机等领域有广泛应用。未来,反馈光耦将朝着高速化、高精度化和智能化方向发展,以满足不断提升的数据传输和测量控制需求,同时融入智能化系统提升系统稳定性。
光耦是一种基于光学原理的电子元器件,通过电信号到光信号再到电信号的转换实现电气隔离。其内部发光器件和光敏器件协同工作,实现信号转换。光耦具有优异的隔离性能、稳定性和可靠性,以及抗电磁干扰能力,广泛应用于通信、电力、自动化控制等领域。其高效、高精度、易连接等特点,使其在各种复杂应用场景中发挥重要作用。