ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
近年来，在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中，可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下，为了“更远”、“更准确”以及“更低功耗”地检测到信息，对提高作为光源的激光二极管的性能提出了更高要求。
ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术，有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。25W高输出功率激光二极管“RLD90QZW5”从2019年开始量产，在以消费电子设备领域为主的应用中越来越多地被采用。此次，为了将应用扩展到市场日益增长的工业设备领域，ROHM开发出75W高输出功率的激光二极管“RLD90QZW3”。
“RLD90QZW3”是一款红外75W高输出功率激光二极管，针对利用3D ToF系统*3进行测距和空间识别的LiDAR而开发。利用ROHM自有的元器件开发技术，在业界同等输出功率激光二极管中实现了225µm的超窄线宽。与线宽290µm的普通产品相比，线宽缩窄22%，实现了高光束性能。同时，通过使发光强度更均匀，并利用激光波长较低的温度依存性，可稳定发挥高性能，因此有助于LiDAR在各种环境下实现长距离应用和更高精度。此外，与窄线宽存在此消彼长关系的光电转换效率，也达到了与普通产品同等的21%（正向电流24A、75W输出时），因此在采用本产品时无需担心功耗会增加。
除此之外，为支持新产品快速引入市场，在ROHM官网上还免费提供评估和导入新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路仿真和光学仿真用的模型等。
新产品于2021年6月开始出售样品（样品价格6,000日元/个：不含税），计划于2021年10月开始暂以月产20万个的规模投入量产。新产品在电商平台Ameya360和Sekorm上也已开售。
目前，ROHM正在开发具有120W高输出功率和车载级（符合AEC-Q102标准）激光二极管产品。未来，ROHM将继续为包括汽车领域在内的安全、便捷的LiDAR应用产品的开发贡献力量。
＜新产品特点＞
1．实现225µm业界超窄线宽，有助于支持长距离应用并实现更高精度
新产品“RLD90QZW3”利用ROHM激光二极管元器件开发相关的专利技术，作为LiDAR用的75W高输出功率激光二极管，实现了225μm的业界超窄线宽。通过高密度发光实现了高光束性能。此外，除了在整个线宽范围成功地使发光强度更均匀外，激光波长的温度依存性低至0.15nm/℃，不易受温度变化的影响，因此可稳定地发挥其性能。
与同等输出功率、线宽290µm、温度依存性0.25nm/℃的普通产品相比，线宽缩窄22%，激光波长的温度依存性也可降低40%，因此可支持LiDAR的长距离应用；而在测量距离相等的情况下，有助于实现更高精度。
2．具有出色的光电转换效率（PCE），采用本产品时无需担心功耗增加
新产品采用专利技术，在同等输出功率的产品中，不仅实现了业界超窄的线宽，而且，在与线宽存在此消彼长关系的光电转换效率方面，也实现了与普通产品同等的21%的效率（正向电流24A、75W输出时）。因此，在采用时无需担心功耗增加。
3．提供丰富的文档和设计数据，大力支持市场引入
为了加快本系列产品的市场引入，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路板开发用的数据和仿真用的模型（SPICE模型、Ray数据）等。
如欲了解更多信息，请访问RLD90QZW3产品页面：https://www.rohm.com.cn/products/laser-diodes/high-power-lasers/rld90qzw3-product
＜LiDAR用高输出功率激光二极管产品阵容＞
☆ : 开发中产品，规格可能会有更改。
＜电商销售信息＞
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
