ROHM微信在线研讨会——碳化硅（SiC）功率器件活用
下面ROHM君出场啦，提前来给大家预告6月的在线研讨会，现在可以扫描下方二维码免费报名参与，本次好礼更加丰富哦，下滑屏幕了解下？
时间：6月27日 10:00
微信线上研讨会
也可通过以下方式报名：
【课堂内容介绍】
简 介： 与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
【演讲内容概要】
（一）SiC和Si功率器件
（二）SiC功率器件的特征
（三）SiC功率器件的注意点，可靠性
（四）SiC功率器件的活用（动作、回路、实验例）
演讲人简介：
谢健佳：罗姆半导体（深圳）有限公司设计中心 工程师。功率器件专家，罗姆功率器件活用研讨会讲师。多年从事功率器件、特别是SiC功率器件的推广与应用支持工作。拥有丰富的技术支持经验。从2017年起担任罗姆功率器件活用研讨会讲师，在全国范围内成功举办了多场研讨会。希望通过在线研讨会的形式，让更多同行了解SiC的优点和特性，更好地应用SiC功率器件。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
高频降压型DC-DC转换器中，MOSFET高速开关与寄生电感相互作用产生高dv/dt尖峰及LC谐振振荡，构成传导与辐射干扰源；通过紧凑功率回路布局、连续地平面及开关边沿软化可降低寄生参数影响，结合共模滤波与频率展宽技术，抑制特定频段辐射峰值，实现电磁兼容性优化。
GaN栅极驱动器在高dv/dt与高频开关条件下，寄生效应易引发栅极过压及误触发，其隔离工艺需在绝缘耐压与传输延迟间权衡；采用低寄生电容隔离变压器或高速光耦并结合电压限幅、热管理与EMI抑制策略，可降低共模干扰与热应力累积，从而提升高压高频环境下的系统可靠性。
PIN二极管射频开关利用I区电荷存储特性实现正向低阻与反向高阻切换，插入损耗受正向电阻、寄生电感及阻抗匹配影响，可通过低电感封装与匹配网络优化；限幅响应时间取决于偏置网络充放电速度与驱动方式，采用高速驱动及串并联组合可在纳秒级内完成状态转换，满足高频系统要求。
升压型LED驱动器基于电感储能与PWM占空比调节实现电压抬升，其输出电流纹波受电感值、开关频率及滤波网络共同影响；采用峰值与平均电流双环控制可抑制纹波，配合低ESR电容与RC二次滤波进一步平滑电流，在输入波动与负载变化下实现低纹波恒流输出与高效能量转换。
开关二极管凭借极短反向恢复时间与低结电容，可在纳秒级瞬态过压及ESD事件中快速导通以实现能量泄放与电压钳位；通过低寄生电感封装及靠近保护器件的布局优化，可降低信号通道寄生效应，在保障高速信号完整性的同时实现低损耗、高可靠的过压与浪涌防护。
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