ROHM微信在线研讨会——碳化硅（SiC）功率器件活用
下面ROHM君出场啦，提前来给大家预告6月的在线研讨会，现在可以扫描下方二维码免费报名参与，本次好礼更加丰富哦，下滑屏幕了解下？
时间：6月27日 10:00
微信线上研讨会
也可通过以下方式报名：
【课堂内容介绍】
简 介： 与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
【演讲内容概要】
（一）SiC和Si功率器件
（二）SiC功率器件的特征
（三）SiC功率器件的注意点，可靠性
（四）SiC功率器件的活用（动作、回路、实验例）
演讲人简介：
谢健佳：罗姆半导体（深圳）有限公司设计中心 工程师。功率器件专家，罗姆功率器件活用研讨会讲师。多年从事功率器件、特别是SiC功率器件的推广与应用支持工作。拥有丰富的技术支持经验。从2017年起担任罗姆功率器件活用研讨会讲师，在全国范围内成功举办了多场研讨会。希望通过在线研讨会的形式，让更多同行了解SiC的优点和特性，更好地应用SiC功率器件。
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。罗姆将不断扩充SiC元器件的量产产品阵容，并积极致力于新产品的开发。
SiC MOSFET实现高速低耗运行，核心源于SiC材料特性与器件结构。SiC宽禁带使击穿电场强，同耐压下漂移区更薄、掺杂高，导通电阻低，降低导通损耗。其为单极型器件，导通靠多数载流子漂移，无少数载流子存储，故关断无拖尾电流。
TVS二极管基于PN结雪崩击穿效应，常态呈高阻抗不影响电路，当两端电压超击穿值时，PN结迅速雪崩击穿，阻抗骤降以钳位过电压、导走瞬态电流，过后快速恢复高阻抗；其具皮秒级响应速度、稳定钳位特性及高浪涌承受力。
肖特基二极管相较传统PN结二极管，具极低正向压降以减少能量损耗、提升电路效率，适配便携式设备续航需求；其极快开关速度与极短反向恢复时间，可保障高频电路中信号高效传输、减少延迟失真及开关损耗。
中国上海，2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM今日宣布，与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂，共话汽车电子前沿技术，致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。
快速恢复二极管凭借短反向恢复时间，适配开关电源高频工况，减少反向恢复电流损耗与电磁干扰。在AC/DC的PFC电路、DC/DC的Flyback拓扑等中应用广泛，选型需权衡反向恢复时间、正向压降、反向耐压和额定正向电流，以保障开关电源高效稳定。
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