存储器通常用于临时存储或长期存储数据的各种电子、磁性、激光和化学产品。计算机中常见的
存储器包括ROM、RAM、硬盘、光盘以及相关驱动器等。
一、存储器的常见分类
数据易失性存储器：如动态RAM（DRAM）和静态RAM（SRAM）。这些存储器具有较快的读写速度，但在断电后会导致数据丢失。在SoC设计中，通常用作数据缓存和程序缓存。
数据非易失性存储器：如NAND/NOR闪存。这类存储器的读写速度较慢，但在断电后数据不会丢失。因此，在SoC设计中可用于存储大量数据或程序。
新型存储器PSRAM（伪静态随机存取器）：它具备与SRAM相同的接口协议，只需提供地址和读写指令即可实现数据的存取。相比DRAM的实现，PSRAM不需要复杂的内存控制器定期刷新数据，但其内核架构却与DRAM相同。传统的SRAM由6个晶体管构成一个存储单元，而PSRAM则由1个晶体管和一个电容构成一个存储单元，因此可实现更大的存储容量。
基于上述分析，与传统存储器相比，PSRAM具有以下优点：
更大的带宽：串行PSRAM通过八路串行接口对外连接，在最高200MHz的双数据速率下，可实现超过3Gbps的带宽传输。
更高的容量：目前可实现的存储容量为32M、64M、256M，比市面上其他串行接口随机存取器的容量要大得多。
更低的成本：串行PSRAM采用DRAM架构，可以有效压缩芯片体积，因此生产成本接近DRAM。
更小的尺寸：串行PSRAM与传统RAM存储相比，具有引脚数更少、尺寸更小和成本更低等优势。
更广泛的应用：PSRAM采用自行刷新技术，无需刷新电路即可保持内部存储的数据；而DRAM需要定期刷新充电，否则内部数据会丢失。因此，相比传统RAM，PSRAM具有更广泛的应用领域。
作为常用的外设存储设备，PSRAM的优点使其被广泛应用。
二、SRAM与DRAM的不同之处
SRAM（静态RAM）是一种静态随机存取存储器，不需要进行刷新操作。它具有快速的速度，但占用的面积较大。
DRAM（动态RAM）是一种动态随机存取存储器，需要实时刷新以保持数据。它价格便宜，通常用于大容量产品。
2.1 工作原理
SRAM的存储单元由两个交叉耦合的反相器（T1-T3和T2-T4）组成，通过双稳态来实现数据锁存，无需进行刷新操作。
DRAM的存储单元由一个晶体管和一个电容组成，数据以电平为载体保存在电容上。由于电容会发生漏电，因此需要定期进行刷新操作。
2.2 面积
存储1位数据所需的晶体管数量，SRAM需要6个，而DRAM只需要1个晶体管加上1个电容。在相同容量下，SRAM需要更多的晶体管，导致其面积是DRAM的4到5倍，并且产生较多的热量。这使得难以制造出大容量的主存储器。
2.3 价格
芯片的面积直接影响芯片的价格，相同容量的情况下，SRAM的价格更高。
2.4 行列地址复用
实际存储芯片内部是一个二维矩阵，通过行地址和列地址来定位访问的存储单元。
对于容量较小的SRAM，地址位宽度不大，行地址和列地址同时输入。
对于容量较大的DRAM，地址位宽度较大，由于芯片引脚数量有限，需要依次输入行地址和列地址。
2.5 应用场景
SRAM通常用于片内作为CPU或GPU的高速缓存，容量通常在几十KB到几十MB之间。
DRAM通常用于片外作为系统的主存储器。
SRAM具有比DRAM更快的速度。由于高速缓存追求速度，因此选择了SRAM，而主存储器则追求容量，因此选择了能够在相同空间中存放更多数据且价格相对较低的DRAM。
2.6 总结
SRAM的优点是速度快，但难以制造大容量存储器。
DRAM的优点是可以制造大容量存储器，但速度没有SRAM快，并且需要不断进行刷新操作以保存数据，否则内部数据会丢失。因此，DRAM的功耗比SRAM大。
三、SDRAM和DDR LPDDR的不同之处
3.1 SDRAM
SDRAM（同步DRAM）采用了1T+1C的存储单元结构。由于其同步接口的特点，便于数据读取，广泛应用于内存领域。实际上，真正的异步DRAM已经很少见了。
通常情况下，DRAM采用的是异步接口，可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM则采用同步接口，严格与系统总线时钟同步，其主要目的是提高读写速度。
SDRAM采用了多Bank结构，而DRAM则没有区分Bank的概念，这是两者在结构上最大的不同之处。
多Bank的好处在于：SDRAM内部被分成两个以上的Bank，当选中一个Bank进行读写时，未被选中的Bank可以预先充电，并做好必要的准备工作。当下一个时钟周期选中它时，无需等待，即可直接读取数据，从而大大提高了存储器的访问速度。
3.2 DDR系列
DDR/DDR2/DDR3实际上是DDR/DDR2/DDR3 SDRAM的缩写，表明它们都是在SDRAM的基础上进行分类。其中的2/3代表第几代产品，通常意味着频率和数据吞吐率的提升。这些产品主要应用于计算机内存等领域。
3.3 LPDDR系列
LPDDR/LPDDR2/LPDDR3实际上是LPDDR/DDR2/DDR3 SDRAM的缩写，同样也是SDRAM的分类。其中的LP代表低功耗（Low Power），侧重于低功耗场景，在移动设备如手机、平板电脑等领域得到广泛应用。这些设备通常受到空间限制，因此接口的引脚数量有限，并且接口相对于DDR来说更加简化。
关键词：罗姆存储器
.jpg)
