业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS
＜概要＞
全球知名半导体制造商ROHM的高速trr※1型600V 超级结MOSFET PrestoMOS※产品群又新增"R60xxMNx系列"，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET，以业界最小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。
此次开发的"R60xxMNx系列"通过优化ROHM独有的芯片结构，在保持PrestoMOS"高速trr性能"特征的基础上，还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此，在变频空调等电机驱动的应用中，轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比，降低约56%，节能效果非常明显。
不仅如此，"R60xxMNx系列"利用ROHM多年积累的模拟技术优势，还实现了超强的短路耐受能力，减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险，有助于提高应用的可靠性。
本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产，前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.（韩国）。
今后，ROHM将继续开发凝聚了ROHM模拟设计技术优势的高性能、高可靠性产品，不断为社会的进一步节能贡献力量。
＜背景＞
近年来，节能化趋势日益加速，随着日本节能法的修订，家电产品倾向于采用更接近实际使用情况的能效标识APF（Annual Performance Factor）※4，不再仅仅关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能，要求负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。据称，在全球的电力需求中，近50%被用于驱动电机，随着空调在新兴国家的普及，全球的电力局势逐年严峻。在这种背景下，ROHM开发出PrestoMOS，非常适用于要求低功耗化的空调等白色家电和工业设备等的电机驱动，可大大降低应用正常运转时的功耗，满足了社会的节能需求。
＜特点＞
1. 业界最快的trr性能、低Ron、低Qg，有助于应用节能
一般MOSFET具有高速开关和低电流范围的传导损耗低的优点，设备正常运转时可有效降低功耗。"R60xxMNx系列"利用ROHM独有的Lifetime控制技术，不仅保持了业界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于变频电路的节能。
2. 超强短路耐受能力，确保可靠性
通常，一旦发生短路，即具有电路误动作、流过超出设计值的大电流、引起异常发热、甚至元件受损的可能性。一直以来，因性能与短路之间的制约关系，确保超强的短路耐受能力是非常困难的，而"R60xxMNx系列"利用ROHM的模拟技术优势，对热失控的成因---寄生双极晶体管成功地进行了优化，可确保电机驱动所必须的短路耐受能力，有助于提高应用的可靠性。
3. 自导通损耗微小
自导通是指MOSFET在关断状态下，高边主开关一旦导通，则低边MOSFET的漏极-源极间电压急剧增加，电压被栅极感应，栅极电压上升，MOSFET误动作。该现象使MOSFET内部产生自身功率损耗。而"R60xxMNx系列"通过优化寄生电容，可将该损耗控制在非常微小的最低范围内。
＜应用＞
空调、冰箱、工业设备（充电站等）
中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
步进电机开环驱动因固定励磁与无反馈机制，低速工况下绕组电流畸变引发转矩脉动，导致低频抖动与失步。闭环控制通过电流内环实时修正励磁波形，位置外环补偿步距误差，双环融合协同联动，实现电流检测与位置反馈的自适应耦合，从而抑制转矩脉动，提升低速运动平滑性。
高频降压DC-DC转换器中，开关节点高dv/dt与输入寄生电感耦合，会激发高频振荡与电压尖峰，劣化电磁兼容与器件应力。传统被动滤波无法根治此复合噪声，必须实施源头调控：优化栅极驱动以柔化开关边沿、压缩高频电流环路以削减寄生电感，并通过参数匹配阻断噪声正反馈，从而在保障效率的同时实现低应力与低噪声的协同优化。
步进电机低速微步细分驱动下，电流采样延迟引发相位滞后与波形畸变，PI参数失配则导致超调振荡或响应迟滞，二者耦合恶化转矩脉动。固定控制参数难以适配低速工况，必须实施转速联动的自适应采样补偿与分段PI整定，通过时序校正与参数协同优化，抑制谐波与脉动，才能保障电流波形平滑与低速运行稳定。
肖特基二极管正向压降随温升线性衰减，而反向漏电呈指数级激增，二者由势垒高度制衡：低势垒降低导通损耗却恶化漏电，高势垒抑制漏电却抬升导通损耗，温度耦合进一步放大失衡，形成动态损耗与静态待机损耗的矛盾。低功耗场景须摒弃极端选型，依工况匹配中势垒梯度，结合温区补偿与布局优化，方能折中压降与漏电，实现全域能效最优。
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