MOSFET，又称为绝缘栅型场效应晶体管，是一种电压控制电流的器件，广泛应用于开关电路中。其主要特点是栅极（G）具有极高的内阻。MOSFET可分为P型和N型两种类型，而由于P型场效应晶体管的跨导较小且阈值电压较高等原因，逐渐被N型MOSFET所取代。
同时，在实际工程中，我们只使用增强型P/NMOSFET，而不使用耗尽型。这是因为我们希望在初始阶段没有漏极电流存在。
寄生二极管
由于MOSFET本身的结构，源极和漏极之间会形成一个寄生二极管，判断其方向的方法是，NMOSFET从源极指向漏极，而PMOSFET则相反。这个寄生二极管可以防止当VDD过大时MOSFET击穿（寄生二极管会首先击穿，将高电压短路到地），也可以防止DS反接。（如上图所示）
GS寄生电容、并联电容和并联电阻
在MOSFET的真实模型中，各个极之间都存在寄生电容，但我们最关心的是GS之间的寄生电容Cgs，它会影响开关速度。我们可以很容易地理解，当瞬时电流较大时，我们能更快地充满Cgs，从而更快地打开MOSFET。
并联电容C1：①增加电容会导致开启时间变长，增加了开通损耗。原因是电容充电速度较慢，导致开启时间变慢。
②增加电容可以减少门极高频震荡。同时，由于米勒平台振荡减小，MOSFET在米勒平台期间的损耗也会相应减小。
这是我了解到的信息，对于H桥中低侧的MOS管来说，该电容起到了一定作用。在高功率情况下，当高端MOS管开启时，虽然下管的G极信号是关闭的，但由于DG之间的电容耦合效应，会产生一个较小的尖峰信号。当该信号幅值超过5V等阈值时，就会导致误开启该MOS管。如果持续时间足够长，将导致MOS管损坏，并使桥臂直通。加上GS之间的电容后，相对于DG之间的寄生电容较大，因此很难再产生明显的误开启信号，从而增强了电路的稳定性。然而，这也导致MOS管的充电速度变慢，对充电电流有更高的要求，因此需要进行综合权衡。
并联电阻R1：由于Cgs的存在，少量的静电就可以在GS之间产生巨大的电压，这个电压具有破坏性。通过并联电阻R1，可以将上述电荷释放掉，保护MOS管。同时，它还提供偏置电压。
由于MOS管具有栅极高输入阻抗的特性，即输入阻抗越大，则对电压源的负载越轻，因此更容易驱动且不会影响信号源。即使微小的静电或干扰也可能导致MOS管误导通，建议在MOS管的G极和S极之间并联一个10K的电阻，以降低输入阻抗，防止误导通。
栅极电阻/阻尼电阻
消除栅极振荡：由于驱动线路存在寄生电感，加上前面提到的GS之间的寄生电容，它们共同形成一个LC谐振电路，在外部激励信号的影响下会产生严重的振荡。串联一个电阻可以降低其Q值，使振荡迅速衰减。
驱动器功耗的转移。电容和电感只储存能量，不消耗能量。如果没有串联电阻，
驱动器大部分功率将在其内部消耗，导致温度升高，并无法传递到开关管上。
调整功率开关管的开关速度。若栅极电阻过大，开关速度将显著降低，这并非所期望的结果。然而，若栅极电阻过小，高开关速度会引发较大的电流电压变化率，带来强烈的干扰。因此，必须综合考虑，寻找平衡点。
接1：寄生电容Cgs和寄生电感之间的相互作用会产生一种高频振荡信号，如下图所示（Vgs波形）。
那么，我们如何计算该电阻值呢？
栅极二极管
调整这个元件可以改变MOS管的开启和关闭速度。
上面的二极管在脉冲下降沿时，起到了对栅极放电的作用，使场效应管能够快速截至，从而减少功耗。
下面的二极管的作用是防止当上桥迅速开启时，下桥的栅极电压由于耦合效应导致上下桥直通的现象。
接地电容
主要用于系统中提供瞬态电荷，抑制电流纹波和电压尖峰（由寄生电感引起）。
低值电容器可以快速提供一些电荷，而高值电容器可以持续向系统提供大量电荷，有助于减少电压振荡和尖峰现象。
漏极到源极的电容
选择约0.01uF-1uF的电容值，并将其尽可能靠近场效应管，以确保正常工作。
由于采样电阻的布局可能会引入寄生电感，导致不良的接地情况。使用该电容可以解决此问题，直接连接到BAT+和低压侧节点，采用交流接地的概念。
自举升压电路/自举储能电容
通过使用电解电容和二极管构成自举升压电路。
其作用是提高G点的电位，以保持MOS管的导通状态。
电容器在高压侧开关驱动器上形成浮动电源，在需要开启高压侧开关管时，为其提供驱动能量或驱动功率。
那么如何计算这个电容呢？
关键词：罗姆显示用驱动器
