ROHM赞助上海同济大学"DIAN Racing"电动方程式车队深耕汽车市场，世界先进元器件助力提升赛车性能
近年来，出于全球变暖和减少空气污染的考虑，对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划，未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中，中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展，越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门，投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。
作为全球知名半导体制造商，ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域，通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高品质产品，积累了丰硕的市场业绩。2016年起，ROHM还参与进了电动汽车全球顶级赛事"FIA Formula E锦标赛"，与参赛的文图瑞电动方程式车队(VENTURI Formula E Team)签订了为期3年的技术合作伙伴协议，通过向车队提供SiC元器件助力Formula E的电力电子系统升级。这一举措充分彰显了ROHM在汽车电子领域的强大实力。
随着新能源汽车影响力的不断扩大，越来越多的高校成立起了自己的电动车队，逐鹿各项校园电动车赛事。而上海同济大学"DIAN Racing"电动方程式车队正是其中的佼佼者。"DIAN Racing"电动方程式车队成立于2013年3月，依托同济大学汽车学院与同济大学新能源汽车工程中心，成立至今已在全球各项赛事中取得了骄人的成绩。在2017年11月17日于襄阳举行的"2017中国大学生电动方程式大赛"上，"DIAN Racing"电动方程式车队与来自全国各大高校的43支车队同场竞技，并最终取得了综合总分第4名的优异成绩。
为了帮助车队在今后的赛事中取得更加精彩的表现，ROHM与"DIAN Racing"电动方程式车队于2017年11月正式签订了合作协议，ROHM将通过向车队提供各种最先进元器件，帮助进一步提升赛车整体性能。
2017年12月19日，"DIAN Racing 2017年度盛典"于同济大学新能源汽车工程中心一楼顺利举行。同济大学汽车学院副院长谭丕强、党委副书记邓俊，以及车队全体队员出席了本次年会。ROHM也作为合作伙伴受邀出席了此次盛典。相信ROHM的世界先进元器件技术定能帮助车队在新赛季取得更出色的成绩。
今后，ROHM将继续为包括电动汽车领域在内的社会发展贡献力量，进一步推进功率半导体的技术革新。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
