ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT "RGTV/RGW系列"

发布时间：2018-04-19

来源：互联网

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＜概要＞

全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗^※1）和高速开关特性的650V耐压IGBT^※2）"RGTV系列（短路耐受能力^※3）保持版）"和"RGW系列（高速开关版）"，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH（感应加热）等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。
此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构，在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面，获得了业界顶级的性能。例如，在交错式PFC电路中使用时，与以往产品相比，轻负载时效率提升1.2％，重负载时效率提升0.3％，有助于进一步降低应用的功耗。另外通过元器件内部的优化，实现了顺畅的软开关。与同等效率的普通产品相比，成功减少50%电压过冲^※4），从而减少以往需要用来对策的部件数量，可显著减轻设计负担。
本系列产品已于2017年10月开始出售样品（样品价格400日元～/个：不含税），并于2017年12月开始暂以月产10万个的规模开始量产。前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社（日本宫崎县），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰国）。

＜背景＞

近年来，随着IoT进程带来的数据量増加，对数据中心高性能化的要求越来越高。不仅服务器本身，包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内，系统整体的功耗量显著增加，进一步降低功耗已成为重要课题。
另外，在使用IGBT的大功率应用中，为确保设备的可靠性，必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施，简化需求日益迫切。

＜特长＞

1．实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中，利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15％，另外采用ROHM独创的单元微细化结构，成功实现业界顶级的低导通损耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速开关特性（tf=30～40ns）。

2．实现软开关，减轻设备的设计负担

通过元器件内部优化，实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此，开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50％，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时，应用端不再需要以往需要的过冲对策，有利于减轻设计负担。

＜产品阵容＞

产品阵容又新增了以"短路耐受能力保持2μs"为特点的RGTV系列和以"高速开关性能"为特点的RGW系列，能够支持更广泛的应用。

RGTV系列（短路耐受能力保持版）

	TO-247N		TO-3PFM
	IGBT单体	内置FRD	IGBT单体	内置FRD
30A	RGTV60TS65	RGTV60TS65D	RGTV60TK65	RGTV60TK65D
50A	RGTV00TS65	RGTV00TS65D	RGTV00TK65	RGTV00TK65D
80A	RGTVX6TS65	★ RGTVX6TS65D	-	-

RGW系列（高速开关版）

	TO-247N		TO-3PFM
	IGBT单体	内置FRD	IGBT单体	内置FRD
30A	RGW60TS65	RGW60TS65D	RGW60TK65	RGW60TK65D
40A	RGW80TS65	RGW80TS65D	RGW80TK65	RGW80TK65D
50A	RGW00TS65	RGW00TS65D	RGW00TK65	RGW00TK65D

＜应用＞

工业设备（UPS（不间断电源）、焊接机、功率控制板等）、空调、IH（感应加热）　等

＜术语解说＞

*1) 导通损耗: MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故，在电流流动时发生电压下降。
导通损耗是因这种元器件的电压下降而产生的损耗。
*2) IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）: MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管。
*3) 短路耐受能力: 对引起元器件损坏的短路（电子电路的2点用低阻值的电阻器连接）的耐受能力。
*4) 电压过冲: 开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。电压值因过冲而暂时超出稳态值，之后返回到接近稳态值。