ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT "RGTV/RGW系列"
<概要>
全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1)和高速开关特性的650V耐压IGBT※2)"RGTV系列(短路耐受能力※3)保持版)"和"RGW系列(高速开关版)",共21种机型。这些产品非常适用于UPS(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。
此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构,在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面,获得了业界顶级的性能。例如,在交错式PFC电路中使用时,与以往产品相比,轻负载时效率提升1.2%,重负载时效率提升0.3%,有助于进一步降低应用的功耗。另外通过元器件内部的优化,实现了顺畅的软开关。与同等效率的普通产品相比,成功减少50%电压过冲※4),从而减少以往需要用来对策的部件数量,可显著减轻设计负担。
本系列产品已于2017年10月开始出售样品(样品价格400日元~/个:不含税),并于2017年12月开始暂以月产10万个的规模开始量产。前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社(日本宫崎县),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰国)。
<背景>
近年来,随着IoT进程带来的数据量増加,对数据中心高性能化的要求越来越高。不仅服务器本身,包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内,系统整体的功耗量显著增加,进一步降低功耗已成为重要课题。
另外,在使用IGBT的大功率应用中,为确保设备的可靠性,必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施,简化需求日益迫切。
<特长>
1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能
在本新系列产品中,利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%,另外采用ROHM独创的单元微细化结构,成功实现业界顶级的低导通损耗(VCE(sat)=1.5V)和高速开关特性(tf=30~40ns)。
2.实现软开关,减轻设备的设计负担
通过元器件内部优化,实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此,开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%,可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时,应用端不再需要以往需要的过冲对策,有利于减轻设计负担。
<产品阵容>
产品阵容又新增了以"短路耐受能力保持2μs"为特点的RGTV系列和以"高速开关性能"为特点的RGW系列,能够支持更广泛的应用。
RGTV系列(短路耐受能力保持版)
TO-247N | TO-3PFM | |||
---|---|---|---|---|
IGBT单体 | 内置FRD | IGBT单体 | 内置FRD | |
30A | RGTV60TS65 | RGTV60TS65D | RGTV60TK65 | RGTV60TK65D |
50A | RGTV00TS65 | RGTV00TS65D | RGTV00TK65 | RGTV00TK65D |
80A | RGTVX6TS65 | ★ RGTVX6TS65D | - | - |
RGW系列(高速开关版)
TO-247N | TO-3PFM | |||
---|---|---|---|---|
IGBT单体 | 内置FRD | IGBT单体 | 内置FRD | |
30A | RGW60TS65 | RGW60TS65D | RGW60TK65 | RGW60TK65D |
40A | RGW80TS65 | RGW80TS65D | RGW80TK65 | RGW80TK65D |
50A | RGW00TS65 | RGW00TS65D | RGW00TK65 | RGW00TK65D |
<应用>
工业设备(UPS(不间断电源)、焊接机、功率控制板等)、空调、IH(感应加热) 等
<术语解说>
- *1) 导通损耗
-
MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故,在电流流动时发生电压下降。
导通损耗是因这种元器件的电压下降而产生的损耗。 - *2) IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管)
- MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管。
- *3) 短路耐受能力
- 对引起元器件损坏的短路(电子电路的2点用低阻值的电阻器连接)的耐受能力。
- *4) 电压过冲
- 开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。 电压值因过冲而暂时超出稳态值,之后返回到接近稳态值。
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