导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗的秘密~
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOSTM产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。
电池储能（ESS）解决方案除了应用于工业、发电之外，在家庭住宅部分，也成为当前应用与市场发展的关键。住宅的ESS解决方案所需的功率较小，但对转换效率与安全性的要求，仍与工业应用相同。本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势，以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。
智能停车位传感器正持续追求高精度与高稳定性，通过技术升级和先进材料应用实现更精准的停车位检测和更稳定的信号传输。未来发展方向包括多功能集成化、无线化与网络化、智能化与自适应性，以及绿色化与环保性。
智能停车位传感器需具备高度环境适应性，以确保在各种恶劣条件下稳定工作，同时需具备高灵敏度和准确性以判断车位占用情况并区分车辆与其他障碍物。传感器还需具备稳定可靠的数据传输能力，并与管理系统高效通信。降低功耗、延长使用寿命、降低成本是技术发展的关键。
智能停车位传感器利用高灵敏度的物理感应机制，包括压力传感、红外传感和超声波传感技术，实时监测停车位状态。传感器能够检测车辆停放与否，并通过无线通信传输信息至中央控制系统或用户设备。在路边停车、商业中心、机场医院等场所，传感器可提升停车位利用率，提供导航服务。
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体（以下简称“ST”）宣布，罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH（以下简称“SiCrystal”）将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。
