肖特基二极管：图像识别技术的新应用探索（下）

肖特基二极管在电子设备应用广泛，但易因工作压力和温度升高而失效。其失效机理含电学性（反向击穿、热失效）与物理性（永久性偏移、金属间化合物扩散）失效，影响性能与寿命。深入研究失效机理，对提升其性能和寿命，推动电子技术发展意义重大。

肖特基二极管是重要电子元器件，在电路设计中，了解其特性关系至关重要。其正向导通压降与导通电流成正比、与环境温度成反比；漏电流随反向电压和环境温度升高而增大。合理考量这些特性，才能在电路中更好地选用和使用肖特基二极管 。

肖特基二极管采用 “金属 - 半导体” 界面，以其正向压降小、反向漏电小、速度快等特点，区别于普通 PN 结二极管。其工作基于金属与半导体接触形成的电势垒。应用于保护回路、信号检测、电源选择、限幅等领域。合理运用肖特基二极管代换原则，可提升电路性能与可靠性。

肖特基二极管由 p、n 型半导体组成，p 型无杂质掺杂。其电流分正、反向，正向时电子经复合过势垒从 p 到 n 型半导体，反向时势垒高电流小为漏电流。它有电流变势垒变、高频快速开关等效应，具快开关、低压降、长寿命优点，了解其电流方向对电路应用意义重大。

肖特基二极管，即肖特基势垒二极管（SBD），是一类具备低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。它反向恢复时间极短，可低至几纳秒，正向导通压降约 0.4V ，整流电流却能达几千安培，这些优势远超快恢复二极管。其工作原理基于金属与 N 型半导体接触形成的肖特基势垒。电子从 N 型半导体向金属扩散，形成势垒，通过电场作用控制电流。独特的结构使得它仅靠电子输送电荷，无电荷储存问题，开关特性优异，但反向耐压较低，一般不超 100V ，适合低压大电流场景。