ROHM黑马：短路耐受能力更高，且自启动得到抑制
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并异常发热引起热失控，最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力，就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管（热失控的原因），使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快，而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。
抑制自启动带来的损耗
自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化（从0V到施加电压）时，MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值，MOSFET短时间导通的现象。
这种额外的导通时间当然就成为损耗。
其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt，或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策。
而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容，从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。
开关二极管在高频信号钳位中的物理边界，由PN结少数载流子存储时间与结电容容抗两大固有机制协同划定。其根源在于：正向导通期间注入的存储电荷在高速关断时无法瞬间消散，导致开关响应滞后；而反向截止时的结电容在高频下容抗骤降，引发信号漏损与隔离失效。二者耦合作用，使器件的开关速度与高频阻抗特性共同构成了钳位电路无法逾越的频率上限。
硅电容器实现近乎零压电效应的物理根基，在于以中心对称立方晶格结构的单晶硅取代具有非对称晶格排布的压电陶瓷介质。这种材料体系的根本性替换，使其在机械振动或应力形变下不会发生晶格电荷中心偏移，从物理源头杜绝了因外力形变自发产生电荷的压电现象。因此，当应用于高精度模拟前端的基准分压与去耦网络时，它能彻底消除因电容容值动态波动引发的基准电位周期性偏移，保障采样数据的长期稳定性与重复性。
IPD依托BCD工艺，将功率MOS、栅极驱动、电流采样与温度保护等分立功能单元集成于单一芯片，其技术内核在于通过内部金属布线实现纳秒级信号直连，消除了传统分立方案中PCB走线引入的寄生参数与多级链路延时。这一架构将保护响应从外部间接检测重构为与功率核心零距离耦合的实时感知与即时关断，从物理层面解决了分立方案中因采样滞后与参数离散导致的保护迟滞与批量一致性差等固有痛点。
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
升压LED驱动器中MOS开关管、续流二极管、功率电感与采样电阻构成差异化多级热源，宽温域下损耗重新分布，固定散热体系易导致热失衡。通过热源分区布局、低热阻导热界面与整机对流散热协同，结合源头器件优选抑制损耗，可实现全温域热均衡，解决高温堆积与低温冲击问题，提升恒流稳定性与寿命。
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