ROHM黑马:短路耐受能力更高,且自启动得到抑制

分享到:

ROHM在以业界最快的trr(反向恢复时间)著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比,trr减少约60%,从而大大降低了开关损耗,促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能,还要进一步降低导通电阻和Qg(栅极总电荷量)并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言,导通电阻和Qg存在权衡关系,但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势,实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。

1

开关损耗和传导损耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言,当发生短路时,会流过超出设计值的大电流,并异常发热引起热失控,最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力,就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管(热失控的原因),使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快,而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。

2

抑制自启动带来的损耗

自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化(从0V到施加电压)时,MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值,MOSFET短时间导通的现象。

这种额外的导通时间当然就成为损耗。

其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt,或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策。

而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容,从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。

3

继续阅读
ROHM开发出4通道线性LED驱动器“BD183x7EFV-M”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向两轮/四轮机动车中应用日益普及的LED尾灯(刹车灯、后尾灯)、雾灯、转向灯等,开发出内置MOSFET的4通道线性LED驱动器IC“BD183x7EFV-M”(BD18337EFV-M / BD18347EFV-M)。

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。

ROHM免费提供“ROHM Solution Simulator”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者,开发出可以在解决方案电路上一并验证功率元器件(功率半导体)、驱动IC及电源IC等的Web仿真工具“ROHM Solution Simulator”,并在ROHM官网上公开了该工具能支持的44个电路解决方案。

ROHM开发出高级车载仪表盘扬声器放大器“BD783xxEFJ-M”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向具有自动驾驶和ADAS功能的汽车的仪表盘(以下简称“汽车仪表盘”),开发出满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q100的2.8W输出AB类单声道扬声器放大器“BD783xxEFJ-M”(BD78306EFJ-M / BD78310EFJ-M / BD78326EFJ-M)。

汽车世界2020:引入支持未来移动社会的半导体解决方案

ROHM于2020年1月15日(星期二)至17日(星期五)在东京举行的第12届国际汽车电子技术博览会上展出。这一次,在“汽车创造未来”的主题,介绍罗姆半导体解决方案,支持在不远的将来,将流动的社会,从最新的模拟集成电路,减少车辆系统的负荷发展支持ADAS的产品和自动驾驶以及碳化硅电力设备导致xEV的进化。