ROHM黑马：短路耐受能力更高，且自启动得到抑制
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并异常发热引起热失控，最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力，就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管（热失控的原因），使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快，而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。
抑制自启动带来的损耗
自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化（从0V到施加电压）时，MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值，MOSFET短时间导通的现象。
这种额外的导通时间当然就成为损耗。
其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt，或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策。
而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容，从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。
BMS中的低边驱动原理主要控制电池负极端的通断，通过功率MOSFET和相关控制电路确保电池充放电过程的安全与高效。其设计简单、成本低廉，但通信时需隔离措施。未来，低边驱动将更智能化、集成化，注重安全性与能效优化，同时模块化、标准化也将成为发展趋势，以适应BMS市场的不断扩大和多样化需求。
随着电动汽车和储能系统的快速发展，BMS中高边驱动的性能要求日益提升。未来，高边驱动将朝更高精度、更稳定及智能化的方向发展，通过集成先进传感器和算法实现精细充放电控制，并与其他系统协同工作提升整体效率与安全性。新材料和新工艺的应用将推动高边驱动技术创新，提高效率和可靠性。安全性和可靠性始终是核心，需加强安全防护和可靠性设计。
BMS作为电池管理的重要部分，高边驱动是其关键组件，通过控制电池正极开关实现充放电过程的精确控制。高边驱动需应对电池复杂特性、高电压大电流挑战，并解决散热和电磁干扰问题。同时，高边驱动设计需考虑电池包与ECU共地问题，确保通信正常。高边驱动的性能直接影响电池系统整体运行效果，需不断优化设计以满足电池管理需求。
反馈光耦通过光电转换实现电路的稳定可靠反馈控制，在电机控制、开关电源、通信和计算机等领域有广泛应用。未来，反馈光耦将朝着高速化、高精度化和智能化方向发展，以满足不断提升的数据传输和测量控制需求，同时融入智能化系统提升系统稳定性。
光耦是一种基于光学原理的电子元器件，通过电信号到光信号再到电信号的转换实现电气隔离。其内部发光器件和光敏器件协同工作，实现信号转换。光耦具有优异的隔离性能、稳定性和可靠性，以及抗电磁干扰能力，广泛应用于通信、电力、自动化控制等领域。其高效、高精度、易连接等特点，使其在各种复杂应用场景中发挥重要作用。
