戴维宁定理：等效电压源与串联电阻的奇妙组合

中国上海，2025年6月23日——随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。

戴维宁定理，亦称戴维南定理，是电路理论中的基石之一，由Léon Charles Thévenin于1883年提出。此定理表明，任何含有独立电源和线性电阻的二端网络对外部电路而言，均可被简化为一个等效电压源与串联电阻的组合。等效电压源的值对应于网络开路时的电压，而等效电阻则是网络内所有电源置零后的输入电阻。

戴维宁定理，亦称戴维南定理，是电路理论中的基石之一，由Léon Charles Thévenin于1883年提出。此定理表明，任何含有独立电源和线性电阻的二端网络对外部电路而言，均可被简化为一个等效电压源与串联电阻的组合。等效电压源的值对应于网络开路时的电压，而等效电阻则是网络内所有电源置零后的输入电阻。

共模电感，又称共模扼流圈，专为抑制电子系统中不受欢迎的共模噪声而设计。其核心原理基于电磁感应，通过将两个或多个绕向相反的线圈缠绕在同一磁芯上，当共模电流流过时，线圈产生的磁场方向相同，电感值显著增加，形成高阻抗，有效抑制共模噪声。相比之下，差模信号因磁场相互抵消，几乎不受影响，得以正常通过。

NMOS低侧电源基于N型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管的工作原理，在电源管理系统中作为开关控制电源的通断。在低侧配置中，NMOS晶体管的源极接地，漏极连接负载和电源，栅极接收控制信号。通过调节栅极电平，NMOS晶体管可导通或关断，从而实现对负载电源的高效控制。NMOS晶体管具有低电阻、低功耗、快速开关速度以及良好的散热性能，适用于高效、可靠的电源管理系统。在电机驱动、LED照明、电池管理、工业自动化和汽车电子等领域。