罗姆首次亮相“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会
全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”（展位号：2展馆T213）。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念，带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领先半导体产品。
罗姆展台人头攒动
在 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区以及“xEV”、“环保/节能”、“安全/舒适”三大展区内，重点展示了以下产品和技术：
・ 先进的SiC（碳化硅）技术：助力 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”
罗姆在SiC功率元器件领域处于业界领先地位。作为电动赛车顶级赛事Formula E参赛车队——文图瑞（VENTURI Formula E Team）的官方技术合作伙伴，自2016年10月9日开幕的第3赛季起，为逆变器这一赛车核心驱动部件提供全球先进的SiC功率元器件。第3赛季提供了二极管(SiC-SBD)，而从第4赛季开始，则提供集成了晶体管与二极管的“全SiC”功率模块。与未搭载SiC的第2赛季的逆变器相比，成功实现43%的小型化与6kg的轻量化。此次特别展出了搭载了罗姆的SiC功率元器件的逆变器模型。
“Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区
超高速脉冲控制技术：实现轻度混合动力汽车的小型化和系统的简化
罗姆针对轻度混合动力汽车等48V电源驱动的车载系统，推出汽车要求的2MHz工作（开关）条件下高降压比的内置MOSFET降压型DC/DC转换器BD9V100MUF-C。该产品搭载凝聚了罗姆的电路设计、布局、工艺三大尖端模拟技术优势而诞生的超高速脉冲控制技术（Nano Pulse Control），2MHz工作时高达60V的高电压输入可输出达2.5V的低电压（降压比24比1）。这不仅可使外围元器件小型化，同时，以往只能用2个以上电源IC组成的高低电压转换结构，如今仅需1颗电源IC即可，一举实现应用的小型化与系统的简化。
搭载超高速脉冲控制技术的降压型DC/DC转换器演示
小型高效的车载电源IC：让安全驾驶辅助模块更加小型和节能
BD9S系列是具有输出监测功能的超小型车载降压DC/DC转换器，体积小、效率高、可靠性高。有助于促进ADAS（高级驾驶辅助系统）的传感器、摄像头及雷达等要求小型化、节能化和高可靠性的汽车安全驾驶辅助模块的发展。
无需抗噪音干扰设计的车载运算放大器：成功解决汽车电子系统开发中的噪音难题
车载用接地运算放大器BA8290xYxx-C系列针对EV / HEV引擎等核心系统和采用车载传感器的汽车电子系统开发而成，相比一般产品在所有频段的输出电压变动±3.5%～±10%，本产品仅为±1%以内，是抗噪性能具有绝对优势的运算放大器，有助于日益普及的车载传感器应用的设计简化与可靠性提升。
车载用接地运算放大器演示
车载高清液晶面板用芯片组：将重大事故防患于未然
本芯片组是由可以驱动业界最高级别—HD/FHD级别高清液晶面板的栅极驱动器、源极驱动器、时序控制器（T-CON），以及使这些器件达到最佳运行状态的电源管理IC（PMIC）和伽玛校正IC构成。通过这些IC之间随时共享信息，在液晶面板用的元器件内成功导入功能安全，实现了汽车追求的高品质。此芯片组还适用于一旦发生故障将导致重大事故的车速表和后视镜的液晶面板。
车载高清液晶面板用芯片组演示
完全无银的高亮度红色LED：防止汽车刹车灯硫化，提升长期可靠性
汽车刹车灯越来越多地采用LED灯，为了减少LED的搭载数量，对高亮度产品的需求日益高涨。而另一方面，在严酷环境下使用电子产品的汽车和工业设备领域的应用中，因环境因素导致金属材料腐蚀的硫化问题已成为经年老化的主因，防止硫化已成为确保可靠性不可或缺的一环。新产品SML-Y18U2T用金等其他材料取代了以往晶片键合焊膏及框架所使用的银，实现了完全无银化。此举消除了由于银受到腐蚀而引起LED亮度衰减现象，可提高应用的可靠性。
完全无银的高亮度红色LED演示
“北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”创办于2007年，在行业内享有良好的声誉，被誉为汽车领域前市场的风向标。以“集结精良装备 创高品质汽车之源”为主题，打造中国汽车制造业产业链“一站式”采购平台。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
MOS管过流保护的核心原理是通过监测负载电流，并在电流超过设定阈值时切断MOS管的导通状态，以防止电路受损。实现这一保护的关键在于使用过流检测电阻和比较器来检测和控制电流。在实际应用中，还需考虑SOA等辅助电路以增强保护效果。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
锂电池的内阻是影响其性能和使用寿命的关键因素，通过IMP内阻技术可以精确测量。该技术基于充放电过程中的电压和电流变化关系推算内阻，并考虑温度、充放电状态等因素。电池的结构设计、原材料性能、制程工艺以及工作环境和使用条件均会影响锂电池内阻。极耳布局、隔膜结构、电极材料性能、制程工艺控制精度以及温度等因素共同决定了内阻的大小。
IGBT米勒效应是IGBT在工作时因内部电容效应导致输入端信号变化影响输出端电压和电流的特殊现象。它揭示了IGBT内部结构与外部电路间的相互作用，影响器件性能。为降低米勒效应，可选择合适晶体管和阈值设置，优化电路布局，采用负门极驱动方式或高频变换器技术。米勒效应对IGBT的放大倍数有显著影响，需在设计和分析中充分考虑。
