导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。
SiC MOSFET借碳化硅宽禁带、高临界击穿电场强度及热导率特性，在传统MOSFET结构上优化栅极等设计。其通过栅压控沟道导通，因电子饱和速度高降低沟道电阻，在开关、导通、耐压及高温性能上颠覆传统硅基器件。
消费电子适配器面临性能升级需求，氮化镓凭借高禁带宽度、高电子迁移率及高热导率等特性，在AC/DC转换器中，通过异质结结构降低损耗，实现高频工作，提升能效与功率密度，其可靠性设计保障了规模化应用。
在汽车电子化进程中，车载电路需应对复杂工况与多元用电需求。标准整流二极管基于 PN 结单向导电原理，通过整流桥实现交直流转换；凭借低正向压降、快速开关特性提升转换效率；其反向耐压、抗干扰设计及合理布局散热，保障车载电路稳定高效运行。
线性稳压器与开关稳压器是电源管理核心技术。前者借功率晶体管线性调压，以热耗散维持输出稳定，纹波小、精度高但效率低；后者靠高频开关及储能元件，经占空比调节电压，效率高却伴随高噪声与较低精度。
在汽车电子抗ESD干扰中，TVS二极管基于PN结雪崩击穿原理，能在皮秒级时间内由高阻态转低阻态，钳位瞬态电压并释放能量，其击穿电压、钳位电压等参数关键，应用于电源及信号端口，工艺和材料正不断创新。
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