导通电阻和Qg更低，有助于实现更低功耗
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商标。
开关损耗和传导损耗更低
R60xxMNx系列不仅保持了ROHM独有的PrestoMOS高速trr性能，还大大降低了导通电阻和Qg。在搭载变频器的空调等电机驱动应用案例中，与使用IGBT的情况相比，轻负载时的功率损耗可减少约56%。这对于近年来的APF（全年能效比）来说取得了非常显著的改善效果。是一款高速trr使开关损耗降低、导通电阻更低使传导损耗降低、Qg更低使驱动电流降低、而且高速性能更佳的系列新品。
逆变器和电机驱动器电路无需FRD
如前所述，该系列产品的trr比以往的标准型超级结MOSFET减少了60%。这得益于内部二极管trr特性的显著改善。特别是逆变器电路和电机驱动器电路的再生电流带来的换流损耗取决于trr。普通的MOSFET和IGBT由于内部二极管的trr慢、损耗增加而需要外置2个FRD（快速恢复二极管）。而PrestoMOS由于trr快、损耗更低当然就不需要再外置2个FRD。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向两轮/四轮机动车中应用日益普及的LED尾灯（刹车灯、后尾灯）、雾灯、转向灯等，开发出内置MOSFET的4通道线性LED驱动器IC“BD183x7EFV-M”（BD18337EFV-M / BD18347EFV-M）。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者，开发出可以在解决方案电路上一并验证功率元器件（功率半导体）、驱动IC及电源IC等的Web仿真工具“ROHM Solution Simulator”，并在ROHM官网上公开了该工具能支持的44个电路解决方案。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向具有自动驾驶和ADAS功能的汽车的仪表盘（以下简称“汽车仪表盘”），开发出满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q100的2.8W输出AB类单声道扬声器放大器“BD783xxEFJ-M”（BD78306EFJ-M / BD78310EFJ-M / BD78326EFJ-M）。
ROHM于2020年1月15日(星期二)至17日(星期五)在东京举行的第12届国际汽车电子技术博览会上展出。这一次,在“汽车创造未来”的主题,介绍罗姆半导体解决方案,支持在不远的将来,将流动的社会,从最新的模拟集成电路,减少车辆系统的负荷发展支持ADAS的产品和自动驾驶以及碳化硅电力设备导致xEV的进化。
