罗姆与台积公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下简称“台积公司”）就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。

氮化镓晶体管作为高性能半导体元件，在高速运算、高频电子器件等领域具有广泛应用前景。然而，其设计和制造过程对精确模型的需求高，受强自热效应、陷阱效应和非线性特性影响，建模难度增大。散热问题也不容忽视，需充分考虑并采取合适散热措施。可靠性问题是一大挑战，尤其在基站等严苛场景中，需确保长时间稳定运行。

氮化镓晶体管以其高电子饱和迁移率、高热导率和宽禁带等特性，在无线通信、国防工业及自动驾驶等领域展现出广泛且关键的应用。在无线通信中，氮化镓晶体管在射频和微波频率下性能卓越，尤其在5G和IoT领域不可或缺。在国防工业中，其大功率、小体积和高效热管理特点受到青睐。在自动驾驶领域，氮化镓晶体管为LiDAR系统提供优越性能，推动自动驾驶汽车发展。

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在电力电子设计中展现出巨大潜力，其基于AlGaN和GaN交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）实现高效导电。与硅基晶体管相比，GaN HEMT不受少数载流子复合影响，具有更高效率和性能。尽管氮化镓晶体管通常为常开器件，但通过策略如级联结构或添加P型氮化镓，可实现增强型（常闭）晶体管。

半导体材料是半导体产业发展的基础，20世纪30年代才被科学界所认可。随着半导体产业的发展，半导体材料也从一代、二代发展到现在的第三代。氮化镓就位列其中。5G通讯的革命性转变重塑了射频技术产业，也为氮化镓射频器带来重大的市场机遇。第三代半导体具备耐高压、高频、高效、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新一代信息技术、节能减排和智能制造的“核芯”。