SiC MOSFET 深度揭秘:性能卓越的碳化硅 “电力精灵”,重塑电子应用新格局

碳化硅肖特基二极管通过金属与半导体的肖特基接触形成势垒实现整流,和普通 PN 结二极管相比,反向恢复惯性极低,在高频整流与高速开关领域表现出色。它突破了硅基肖特基二极管在 200V 以上电压的局限,凭借反向电流低、击穿场强高、热导率高等优势,在高压、高温等场景潜力巨大,虽成本较高,但前景广阔。
SiC-MOSFET 作为新型功率半导体器件,与传统的 Si-MOSFET 和 IGBT 相比优势突出。它不存在开启电压,能在宽电流范围内实现低导通损耗,高温下导通电阻低且上升率小,便于热设计。驱动方面,其门极电压与导通电阻密切相关,推荐 18V 左右驱动。开关特性上,它开关速度快、损耗低,不受温度影响,可高频动作。此外,其体二极管恢复特性优异,正向压降虽高但应用中影响小。
碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有独特优势。其基于宽带隙半导体原理,带隙达 3.26eV,带来高介电击穿强度等特性。浪涌电流是直流额定电流 7 - 9 倍,温度特性稳定,漏电流低不易热失控,耐压能力强。广泛应用于电力电子等多领域,对电子技术发展意义重大。
碳化硅肖特基二极管凭借独特优势崭露头角。其基于碳化硅材料,具宽禁带、高击穿场强与导热率等特性。拥有低导通电阻、高击穿电压、耐高温、抗辐照等优点,在多领域广泛应用,以优异反向恢复特性等,为电力领域带来高效与可靠变革。
在功率半导体领域,SiC 肖特基势垒二极管凭借独特优势崭露头角。它基于碳化硅材料,相较传统硅材料,具备高绝缘击穿场强、宽禁带与高热导率等特性。这使其拥有高速开关、高耐压、出色恢复特性等优势,可提升设备效率、缩小电路规模。但它也存在抗浪涌电流性能较弱的不足。随着第三代产品推出,抗浪涌电流、漏电流等性能得以优化,进一步拓展应用空间,推动该技术迈向新高度。