一文看懂碳化硅肖特基二极管：特性、优势与应用全解析

碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有独特优势。其基于宽带隙半导体原理，带隙达 3.26eV，带来高介电击穿强度等特性。浪涌电流是直流额定电流 7 - 9 倍，温度特性稳定，漏电流低不易热失控，耐压能力强。广泛应用于电力电子等多领域，对电子技术发展意义重大。

碳化硅肖特基二极管凭借独特优势崭露头角。其基于碳化硅材料，具宽禁带、高击穿场强与导热率等特性。拥有低导通电阻、高击穿电压、耐高温、抗辐照等优点，在多领域广泛应用，以优异反向恢复特性等，为电力领域带来高效与可靠变革。

在功率半导体领域，SiC 肖特基势垒二极管凭借独特优势崭露头角。它基于碳化硅材料，相较传统硅材料，具备高绝缘击穿场强、宽禁带与高热导率等特性。这使其拥有高速开关、高耐压、出色恢复特性等优势，可提升设备效率、缩小电路规模。但它也存在抗浪涌电流性能较弱的不足。随着第三代产品推出，抗浪涌电流、漏电流等性能得以优化，进一步拓展应用空间，推动该技术迈向新高度。

SiC MOSFET 作为新型电力电子器件，依托碳化硅材料，具备高硬度、宽禁带、高热导率等特性。其平面栅与槽栅结构在制造工艺、性能及应用场景上存在差异。工作时，动态特性受米勒效应等影响，通过双脉冲测试可获取关键参数。凭借高功率密度等优势，在 FSBB 模块等多场景广泛应用，推动电子技术革新。

碳化硅功率模块基于宽禁带半导体特性工作，其高击穿电场、高热导率等特性关键。先进制造工艺优化模块结构与性能。多种设计满足不同领域需求，如高功率型适用于电动汽车等大功率场景。在电动汽车、可再生能源等电路广泛应用，在各电路中通过高效能量转换实现特定功能，推动电力电子技术发展。